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NTE2411 PDF预览

NTE2411

更新时间： 2024-11-20 07:08:19
品牌 Logo 应用领域
NTE 晶体驱动器放大器小信号双极晶体管光电二极管
页数 文件大小 规格书
2页 25K
描述
Silicon PNP Transistor High Voltage Amp/Driver (Compl to NTE2410)

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NTE2411 技术参数

生命周期：Active包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.21.00.95风险等级：5.75
Is Samacsys：N最大集电极电流 (IC)：0.5 A
集电极-发射极最大电压：150 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：50JESD-30 代码：R-PDSO-G3
元件数量：1端子数量：3
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE极性/信道类型：PNP
最大功率耗散 (Abs)：0.35 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：YES
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
晶体管应用：AMPLIFIER晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：100 MHzBase Number Matches：1

NTE2411 数据手册

 浏览型号NTE2411的Datasheet PDF文件第2页 
NTE2411  
Silicon PNP Transistor  
High Voltage Amp/Driver  
(Compl to NTE2410)  
Description:  
The NTE2411 is a silicon PNP transistor in an SOT–23 type surface mount case designed for use in  
high voltage applications.  
Absolute Maximum Ratings:  
Collector–Emitter Voltage, VCEO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 150V  
Collector–Base Voltage, VCBO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 160V  
Emitter–Base Voltage, VEBO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5V  
Continuous Collector Current, IC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 500mA  
Total Power Dissipation (TA = +25°C, FR–5 Board, Note 1), PD . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 225mW  
Derate Above 25°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1.8mW/°C  
Thermal Resistance, Junction–to–Ambient, RthJA . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 556°C/mW  
Total Power Dissipation (TA = +25°C, Alumina Substrate, Note 2), PD . . . . . . . . . . . . . . . . . 300mW  
Derate Above 25°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2.4mW/°C  
Thermal Resistance, Junction–to–Ambient, RthJA . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 417°C/mW  
Operating Junction Temperature Range, TJ . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –55° to +150°C  
Storage Temperature Range, Tstg . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –55° to +150°C  
Note 1. FR–5 = 1.0 x 0.75 x 0.62 in.  
Note 2. Alumina = 0.4 x 0.3 x 0.024 in. 99.5% alumina.  
Electrical Characteristics: (TA = +25°C unless otherwise specified)  
Parameter  
OFF Characteristics  
Symbol  
Test Conditions  
Min  
Typ Max Unit  
Collector–Emitter Breakdown Voltage  
Collector–Base Breakdown Voltage  
Emitter–Base Breakdown Voltage  
Collector Cutoff Current  
V
V
I = 1mA, I = 0  
150  
160  
5
–
–
–
–
–
–
–
V
V
(BR)CEO  
C
B
I = 100µA, I = 0  
(BR)CBO  
C
E
V
I = 10µA, I = 0  
–
V
(BR)EBO  
E
C
I
V
= 100V, I = 0  
–
50  
50  
nA  
µA  
CBO  
CB  
CB  
E
V
= 100V, I = 0, T = +100°C  
–
E
A
12

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