捷配首页

Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> NTE2410
NTE2410 PDF预览

NTE2410

更新时间： 2025-08-17 22:49:55
品牌 Logo 应用领域
NTE 晶体驱动器放大器小信号双极晶体管光电二极管
页数 文件大小 规格书
2页 25K
描述
Silicon NPN Transistor High Voltage Amp/Driver (Comp to NTE2411)

阅读下载

中文翻译

获取价格

NTE2410 技术参数

生命周期：Active零件包装代码：SOT-23
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3针数：3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.21.00.95风险等级：2.19
Is Samacsys：N最大集电极电流 (IC)：0.6 A
集电极-发射极最大电压：160 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：30JESD-30 代码：R-PDSO-G3
元件数量：1端子数量：3
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE极性/信道类型：NPN
最大功率耗散 (Abs)：0.3 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：YES
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
晶体管应用：AMPLIFIER晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：100 MHzBase Number Matches：1

NTE2410 数据手册

 浏览型号NTE2410的Datasheet PDF文件第2页 
NTE2410  
Silicon NPN Transistor  
High Voltage Amp/Driver  
(Comp to NTE2411)  
Description:  
The NTE2410 is a silicon NPN transistor in an SOT–23 type surface mount case designed for use  
in high voltage applications.  
Absolute Maximum Ratings:  
Collector–Emitter Voltage, VCEO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 160V  
Collector–Base Voltage, VCBO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 180V  
Emitter–Base Voltage, VEBO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6V  
Continuous Collector Current, IC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 600mA  
Total Power Dissipation (TA = +25°C, FR–5 Board, Note 1), PD . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 225mW  
Derate Above 25°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1.8mW/°C  
Thermal Resistance, Junction–to–Ambient, RthJA . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 556°C/mW  
Total Power Dissipation (TA = +25°C, Alumina Substrate, Note 2), PD . . . . . . . . . . . . . . . . . 300mW  
Derate Above 25°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2.4mW/°C  
Thermal Resistance, Junction–to–Ambient, RthJA . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 417°C/mW  
Operating Junction Temperature Range, TJ . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –55° to +150°C  
Storage Temperature Range, Tstg . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –55° to +150°C  
Note 1. FR–5 = 1.000 (25.4mm) x .750 (19.05mm) x .062 (1.57mm).  
Note 2. Alumina = .400 (10.2mm) x .300 (7.62mm) x .024 (.609mm), 99.5% alumina.  
Electrical Characteristics: (TA = +25°C unless otherwise specified)  
Parameter  
OFF Characteristics  
Symbol  
Test Conditions  
Min  
Typ Max Unit  
Collector–Emitter Breakdown Voltage  
Collector–Base Breakdown Voltage  
Emitter–Base Breakdown Voltage  
Collector Cutoff Current  
V
V
I = 1mA, I = 0, Note 3  
160  
180  
6
–
–
–
–
–
–
–
–
V
V
(BR)CEO  
C
B
I = 100µA, I = 0  
(BR)CBO  
C
E
V
I = 10µA, I = 0  
–
V
(BR)EBO  
E
C
I
V
= 120V, I = 0  
–
50  
50  
50  
nA  
µA  
nA  
CBO  
CB  
CB  
EB  
E
V
V
= 120V, I = 0, T = +100°C  
–
E
A
Emitter Cutoff Current  
I
= 4V, I = 0  
–
EBO  
C
Note 3. Pulse Test: Pulse Width = 300µs, Duty Cycle = 2%.  
12

中文翻译

下载PDF

与NTE2410相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
NTE2411 NTE

获取价格

 		Silicon PNP Transistor High Voltage Amp/Driver (Compl to NTE2410)
NTE2412 NTE

获取价格

 		Silicon NPN Transistor General Purpose, High Voltage Amp, (Compl to NTE2413)
NTE2413 NTE

获取价格

 		Silicon PNP Transistor General Purpose, High Voltage Amp, (Compl to NTE2412)
NTE2414 NTE

获取价格

 		Silicon Complementary Transistors Digital w/2 Built-In Bias 10k Resistors (Surface Mount)
NTE2415 NTE

获取价格

 		Silicon Complementary Transistors Digital w/2 Built-In Bias 10k Resistors (Surface Mount)
NTE2416 NTE

获取价格

 		Silicon Complementary Transistors High Current General Purpose Amp/Switch
NTE2417 NTE

获取价格

 		Silicon Complementary Transistors High Current General Purpose Amp/Switch
NTE2418 NTE

获取价格

 		Silicon Complementary Transistors Digital w/2 Built-In Bias 47k Resistors (Surface Mount)
NTE2419 NTE

获取价格

 		Silicon Complementary Transistors Digital w/2 Built-In Bias 47k Resistors (Surface Mount)
NTE242 NTE

获取价格

 		Silicon Complementary Transistors Audio Power Amplifier, Switch

与NTE2410相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2025 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证