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Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> NTE2429
NTE2429 PDF预览

NTE2429

更新时间： 2024-01-23 18:53:32
品牌 Logo 应用领域
NTE 晶体开关小信号双极晶体管通用开关
页数 文件大小 规格书
2页 26K
描述
Silicon Complementary Transistors General Purpose Switch

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NTE2429 技术参数

生命周期：Active包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.75风险等级：1.6
Is Samacsys：N外壳连接：COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：1 A集电极-发射极最大电压：80 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：50
JESD-30 代码：R-PSSO-F3元件数量：1
端子数量：3封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
极性/信道类型：PNP最大功率耗散 (Abs)：1 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：YES端子形式：FLAT
端子位置：SINGLE晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：100 MHz
最大关闭时间（toff）：650 ns最大开启时间（吨）：500 ns
Base Number Matches：1

NTE2429 数据手册

 浏览型号NTE2429的Datasheet PDF文件第2页 
NTE2428 (NPN) & NTE2429 (PNP)  
Silicon Complementary Transistors  
General Purpose Switch  
Description:  
The NTE2428 and NTE2429 are silicon complementary transistors in a SOT–89 type surface mount  
package designed for use in thick and thin film circuits. Typical applications include telephone and  
general industrial.  
Absolute Maximum Ratings:  
Collector–Base Voltage (Open Emitter), VCBO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 90V  
Collector–Emitter Voltage, VCER . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 80V  
Emitter–Base Voltage (Open Collector), VEBO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5V  
DC Collector Current, IC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1A  
DC Base Current, IB . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 100mA  
Total Power Dissipation (TA ≤ +25°C, Note 1), Ptot . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1W  
Operating Junction Temperature, TJ . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +150°C  
Storage Temperature Range, Tstg . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –65° to +150°C  
Thermal Resistance, Junction–to–Ambient (Note 1), RthJA . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 125K/W  
Thermal Resistance, Junction–to–Tab, RthJTAB . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10K/W  
Note 1. Device mounted on a ceramic substrate; area = 2.5cm2, thickness = 0.7mm.  
Electrical Characteristics: (TJ = +25°C unles otherwise specified)  
Parameter  
Symbol  
Test Conditions  
Min Typ Max Unit  
Collector Cutoff Current  
I
V
V
= 60V, I = 0  
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
100  
50  
–
nA  
µA  
V
CBO  
CB  
E
= 60V, I = 0, T = +150°C  
CB  
E
J
Collector–Emitter Breakdown Voltage  
V
I = 10mA, I = 0  
C
80  
90  
5
(BR)CEO  
B
V
I = 10µA, V = 0  
C
–
V
(BR)CES  
(BR)EBO  
BE  
Emitter–Base Breakdown Voltage  
Collector–Emitter Saturation Voltage  
V
I = 10µA, I = 0  
E
–
V
C
V
I = 150mA, I = 15mA, Note 2  
C
–
250  
500  
1.0  
1.2  
mV  
mV  
V
CE(sat)  
B
I = 500mA, I = 50mA, Note 2  
C
–
B
Base–Emitter Saturation Voltage  
V
BE(sat)  
I = 150mA, I = 15mA, Note 2  
C
–
B
I = 500mA, I = 50mA, Note 2  
C
–
V
B
Note 2. Measured under pulsed conditions.  
12

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NTE2429 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
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 1000mA, 80V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
BCX51-10TA DIODES

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