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NTE249

更新时间： 2024-10-31 22:54:19

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NTE		晶体放大器晶体管达林顿晶体管功率放大器
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2页	28K
描述
Silicon Complementary Transistors Darlington Power Amplifier

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NTE249 数据手册

NTE249 (NPN) & NTE250 (PNP)

Silicon Complementary Transistors

Darlington Power Amplifier

Description:

The NTE249 (NPN) and NTE250 (PNP) are silicon complementary Darlington transistors in a TO3

type case designed for use as output devices in complementary general purpose amplifier applications.

Features:

D High DC Current Gain: h_FE= 3500 Typ @ I_C= 10A

D Monolithic Construction with Built–In Base–Emitter Shunt Resistors

Absolute Maximum Ratings:

Collector–Emitter Voltage, V_CEO. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 100V

Collector–Base Voltage, V_CB. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 100V

Emitter–Base Voltage, V_EB. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5V

Collector Current, I_C. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 16A

Base Current, I_B. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 500mA

Total Power Dissipation (T_C= +25°C), P_D. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 150W

Derate Above 25°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0.857W/°C

Operating Junction Temperature Range, T_J. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –55° to +200°C

Storage Temperature Range, T_stg. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –55° to +200°C

Thermal Resistance, Junction–to–Case, R_thJC. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1.17°C/W

Electrical Characteristics: (T_C= +25°C unless otherwise specified)

Parameter

Symbol

Test Conditions

Min Typ Max Unit

OFF Characteristics

Collector–Emitter Breakdown Voltage

Collector–Emitter Leakage Current

I = 100mA, I = 0, Note 1

100

–

(BR)CEO

= 50V, I = 0

3.0 mA

1.0 mA

5.0 mA

CEO

= 100V, R = 1kΩ

–

CER

= 100V, R = 1kΩ, T = +150°C

–

Emitter Cutoff Current

= 5V, I = 0

–

EBO

Note 1. Pulse Test: Pulse Width = 300µs, Duty Cycle = 2%

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