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NTE2504

更新时间： 2024-11-19 22:49:51

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NTE		晶体音频放大器晶体管
页数	文件大小	规格书
2页	23K
描述
Silicon NPN Transistor High Gain Audio Amplifier

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NTE2504 技术参数

生命周期：	Active	零件包装代码：	SIP
包装说明：	TO-126LP, 3 PIN	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.75	风险等级：	5.7
最大集电极电流 (IC)：	2 A	集电极-发射极最大电压：	25 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	800
JESD-30 代码：	R-PSIP-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	IN-LINE
极性/信道类型：	NPN	最大功率耗散 (Abs)：	1.2 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	260 MHz
Base Number Matches：	1

NTE2504 数据手册

NTE2504

Silicon NPN Transistor

High Gain Audio Amplifier

Features:

D Large Current Capacity (I_C= 2A)

D Adoption of MBIT Process

D High DC Current Gain: h_FE= 800 to 3200

D Low Collector–Emitter Saturation Voltage: V_CE(sat)< 0.5V

Absolute Maximum Ratings: (T_A= +25°C unless otherwise specified)

Collector–Base Voltage, V_CBO. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 30V

Collector–Emitter Voltage, V_CEO. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 25V

Emitter–Base Voltage, V_EBO. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 15V

Collector Current, I_C

Continuous . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2A

Peak . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4A

Collector Dissipation, P_C. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1.2W

Junction Temperature, T_J. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +150°C

Storage Temperature Range, T_stg. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –55° to +150°C

Electrical Characteristics: (T_A= +25°C unless otherwise specified)

Parameter

Collector Cutoff Current

Symbol

Test Conditions

= 20V, I = 0

Min Typ Max Unit

–

0.1

µA

CBO

Emitter Cutoff Current

= 10V, I = 0

EBO

DC Current Gain

= 5V, I = 500mA

800 1500 3200

Current Gain–Bandwidth Product

Output Capacitance

= 10V, I = 50mA

–

260

–

MHz

= 10V, f = 1MHz

Collector–Emitter Saturation Voltage

Base–Emitter Saturation Voltage

Collector–Base Breakdown Voltage

CE(sat)

I = 1A, I = 20mA

–

0.15 0.5

0.85 1.2

BE(sat)

I = 1A, I = 20mA

–

I = 10A, I = 0

–

(BR)CBO

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