NTE2505

更新时间： 2025-08-17 22:49:51

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NTE		晶体放大器小信号双极晶体管
页数	文件大小	规格书
2页	25K
描述
Silicon NPN Transistor Low Frequency, General Purpose Amp

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NTE2505 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	IN-LINE, R-PSIP-T3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.75	风险等级：	2.21
Is Samacsys：	N	最大集电极电流 (IC)：	2 A
集电极-发射极最大电压：	25 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	600	JESD-30 代码：	R-PSIP-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	IN-LINE
极性/信道类型：	NPN	最大功率耗散 (Abs)：	1 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	260 MHz
Base Number Matches：	1

NTE2505 数据手册

NTE2505

Silicon NPN Transistor

Low Frequency, General Purpose Amp

Features:

D High Current Capacity

D High DC Current Gain

D Low Collector Emitter Saturation Voltage

D High Emitter Base Breakdown Voltage

Absolute Maximum Ratings: (T_A= +25°C unless otherwise specified)

Collector–Base Voltage, V_CBO. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 30V

Collector–Emitter Voltage, V_CEO. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 25V

Emitter–Base Voltage, V_EBO. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 15V

Collector Current, I_C

Continuous . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2A

Peak . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4A

Base Current, I_B. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 400mA

Collector Power Dissipation, P_C. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1W

Operating Junction Temperature, T_J. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +150°C

Storage Temperature Range, T_stg. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –55° to +150°C

Electrical Characteristics: (T_A= +25°C unless otherwise specified)

Parameter

Collector Cutoff Current

Emitter Cutoff Current

DC Current Gain

Symbol

I_CBO

Test Conditions

V_CB= 20V, I_E= 0

Min Typ Max Unit

–

100

I_EBO

V_EB= 10V, I_C= 0

h_FE

V_CE= 5V, I_C= 500mA

V_CE= 5V, I_C= 1A

800 1500 3200

600

–

Gain–Bandwidth Product

f_T

V_CE= 10V, I_C= 50mA

V_CB= 10V, f = 1MHz

260

MHz

Output Capacitance

C_ob

–

Collector Emitter Saturation Voltage

Base Emitter Saturation Voltage

V_CE(sat)I_C= 1A, I_B= 20mA

V_BE(sat)I_C= 1A, I_B= 20mA

–

0.15

0.85

0.5

1.2

–

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