NTE2512

更新时间： 2024-11-02 04:36:03

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NTE		晶体射频双极晶体管电视放大器局域网
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描述
Silicon Complementary Transistors High Frequency Video Output for HDTV

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NTE2512 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-W3
Reach Compliance Code：	unknown	HTS代码：	8541.29.00.75
风险等级：	5.58	Is Samacsys：	N
最大集电极电流 (IC)：	0.5 A	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	20	JESD-30 代码：	R-PSFM-W3
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
极性/信道类型：	PNP	最大功率耗散 (Abs)：	10 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	NO	端子形式：	WIRE
端子位置：	SINGLE	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

NTE2512 数据手册

NTE2511 (NPN) & NTE2512 (PNP)

Silicon Complementary Transistors

High Frequency Video Output for HDTV

Features:

D High Gain Bandwidth Product: f_T= 800MHz Typ.

D Low Reverse Transfer Capacitance and Excellent HF Response:

NTE2511: C_re= 2.9pF

NTE2512: C_re= 4.6pF

Applications:

D Very High–Definition CRT Display

D Video Output

D Color TV Chroma Output

D Wide–Band Amp

Absolute Maximum Ratings: (T_A= +25°C unless otherwise specified)

Collector Base Voltage, V_CBO. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 80V

Collector Emitter Voltage, V_CEO. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 60V

Emitter base Voltage, V_EBO. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4V

Collector Current, I_C

Continuous . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 500mA

Peak . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1A

Collector Power Dissipation, P_C

T_A= +25°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1.2W

T_C= +25°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10W

Operating Junction Temperature, T_J. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +150°C

Storage Temperature Range, T_stg. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –55° to +150°C

Electrical Characteristics: (T_A= +25°C unless otherwise specified)

Parameter

Collector Cutoff Current

Emitter Cutoff Current

DC Current Gain

Symbol

I_CBO

Test Conditions

V_CB= 60V, I_E= 0

Min Typ Max Unit

–

0.1

1.0

320

–

µA

I_EBO

V_EB= 2V, I_C= 0

h_FE

V_CE= 10V, I_C= 50mA

V_CE= 10V, I_C= 400mA

V_CE= 10V, I_C= 100mA

100

–

Gain Bandwidth Product

f_T

800

–

MHz

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