NTE2520

更新时间： 2024-11-02 04:36:03

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NTE		晶体驱动器晶体管功率双极晶体管开关高压局域网
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2页	25K
描述
Silicon Complementary Transistors High Voltage Driver

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NTE2520 技术参数

生命周期：	Active	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.29.00.75
风险等级：	5.76	Is Samacsys：	N
最大集电极电流 (IC)：	1.5 A	集电极-发射极最大电压：	160 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	140
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	极性/信道类型：	PNP
最大功率耗散 (Abs)：	10 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	120 MHz	Base Number Matches：	1

NTE2520 数据手册

NTE2519 (NPN) & NTE2520 (PNP)

Silicon Complementary Transistors

High Voltage Driver

Features:

D High Breakdown Voltage

D Large Current Capacity

D Isolated Package

Applications:

D Color TV Audio Output

D Converters

D Inverters

Absolute Maximum Ratings: (T_A= +25°C unless otherwise specified)

Collector to Base Voltage, V_CBO. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 180V

Collector to Emitter Voltage, V_CEO. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 160V

Emitter to Base Voltage, V_EBO. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6V

Collector Current, I_C

Continuous . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1.5A

Peak . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2.5A

Collector Dissipation, P_C

T_A= +25°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1.5W

T_C= +25°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10W

Operating Junction Temperature, T_J. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +150°C

Storage Temperature Range, T_stg. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –55° to +150°C

Electrical Characteristics: (T_A= +25°C unless otherwise specified)

Parameter

Collector Cutoff Current

Emitter Cutoff Current

DC Current Gain

Symbol

I_CBO

Test Conditions

V_CB= 120V, I_E= 0

V_EB= 4V, I_C= 0

Min Typ Max Unit

–

1.0

400

–

µA

I_EBO

h_FE

V_CE= 5V, I_C= 100mA

V_CE= 5V, I_C= 10mA

V_CE= 10V, I_C= 50mA

140

–

Gain Bandwidth Product

f_T

120

–

MHz

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NTE2520 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
2SA1507S	ONSEMI	类似代替	Bipolar Transistor
TTA004	TOSHIBA	功能相似	TRANSISTOR 1.5 A, 160 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, ROHS COMPLIANT, 2-8H1A, 3 PIN, BIP Gen

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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