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NTE2532

更新时间： 2024-11-19 22:40:39

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NTE		存储内存集成电路可编程只读存储器电动程控只读存储器
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4页	38K
描述
Integrated Circuit NMOS, 32K EPROM, 300ns

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NTE2532 技术参数

生命周期：	Active	零件包装代码：	DIP
包装说明：	DIP-24	针数：	24
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.61	风险等级：	5.64
Is Samacsys：	N	最长访问时间：	300 ns
JESD-30 代码：	R-XDIP-T24	内存密度：	32768 bit
内存集成电路类型：	UVPROM	内存宽度：	8
功能数量：	1	端子数量：	24
字数：	4096 words	字数代码：	4000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：		组织：	4KX8
封装主体材料：	UNSPECIFIED	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	IN-LINE	并行/串行：	PARALLEL
认证状态：	Not Qualified	最大供电电压 (Vsup)：	5.25 V
最小供电电压 (Vsup)：	4.75 V	标称供电电压 (Vsup)：	5 V
表面贴装：	NO	技术：	NMOS
温度等级：	COMMERCIAL	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	DUAL	Base Number Matches：	1

NTE2532 数据手册

NTE2532

Integrated Circuit

NMOS, 32K EPROM, 300ns

Description:

The NTE2532 is a 32,768–bit, ultraviolet–light–erasable, electrically–programmable read–only

memory in a 24–Lead DIP type package. This device is fabricated using N–channel silicon–gate

technology for high speed and simple interface with MOS and bipolar circuits. All inputs (including

program data inputs) can be directly driven by Series 74 TTL circuits without the use of external pull–

up reistors, and each output can drive one Series 74 circuit without external resistors. The data out-

puts are three–state for connecting mutiple devices to a common bus.

Since the NTE2532 operates from a single +5V supply (in the read mode), it is ideal for use in micro-

processor systems. One other (+25V) supply is needed for programming but all programming signals

are TTL level, requiring a single 10ms pulse. For programming outside of the system, existing

EPROM programmers can be used. Locations may be programmed singly, in blocks, or at random.

Total programming time for all bits is 41 seconds.

Features:

D Organization: 4096 x 8

D Single +5V Power Supply

D All Inputs/Outputs Fully TTL Compatible

D Static Operation (No Clocks, No Refresh)

D Max Acces/Min Cycle Time: 300ns

D 8–Bit Output for Use in Microprocessor Based Systems

D N–Channel Silicon–Gate Technology

D 3–State Output Buffers

D Low Power Dissipation:

Active – 400mW Typical

Standby – 100mW Standby

D Guaranteed DC Noise Immunity with Standard TTL Loads

D No Pull–Up Resistors Required

Absolute Maximum Ratings: (T_A= 0° to +70°C, Note 1 unless otherwise specified)

Supply Voltage (Note 2), V_CC. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –0.3V to +7V

Supply Voltage (Note 2), V_PP. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –0.3V to +28V

All Input Voltages (Note 1) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –0.3V to +7V

Output Voltage (Operating, with Respect to V_SS) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –0.3V to 7V

Operating Ambient Temperature Range, T_A. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0° to +70°C

Storage Temperature Range, T_stg. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –55° to +150°C

Note 1. Stresses beyond those listed under “Absolute Maximum Ratings” may cause permanent dam-

age to the device. This is a stress rating only and functional operation of the device at these

or any other conditions beyond those indicated in the “Recommended Operation Conditions”

section of this specification is not implied. Exposure to absolute–maximum–rated conditions

for extended periods may affect device reliability.

Note 2. Under absolute maximum ratings, voltage values are with respect to the most negative supply

voltage, V_S(substrate).

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NTE2532 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
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