NTE2531

更新时间： 2024-11-24 04:36:03

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NTE		晶体驱动器小信号双极晶体管高压放大器
页数	文件大小	规格书
2页	26K
描述
Silicon Complementary Transistors High Voltage Driver

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NTE2531 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	IN-LINE, R-PSIP-T3
Reach Compliance Code：	unknown	HTS代码：	8541.29.00.75
风险等级：	5.77	Is Samacsys：	N
最大集电极电流 (IC)：	2 A	集电极-发射极最大电压：	400 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	40
JESD-30 代码：	R-PSIP-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	IN-LINE	极性/信道类型：	PNP
最大功率耗散 (Abs)：	15 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	40 MHz	Base Number Matches：	1

NTE2531 数据手册

NTE2530 (NPN) & NTE2531 (PNP)

Silicon Complementary Transistors

High Voltage Driver

Features:

D High Current Capacity: I_C= 2A

D High Breakdown Voltage: V_CEO= 400V Min

Absolute Maximum Ratings: (T_A= +25°C unless otherwise specified)

Collector Base Voltage, V_CBO. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 400V

Collector Emitter Voltage, V_CEO. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 400V

Emitter Base Voltage, V_EBO. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5V

Collector Current, I_C

Continuous . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2A

Pulse . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4A

Collector Power Dissipation, P_C

T_A= +25°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1W

T_C= +25°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 15W

Operating Junction Temperature, T_J. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +150°C

Storage Temperature Range, T_stg. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –55° to +150°C

Electrical Characteristics: (T_A= +25°C unless otherwise specified)

Parameter

Collector Cutoff Current

Emitter Cutoff Current

DC Current Gain

Symbol

I_CBO

I_EBO

h_FE

Test Conditions

V_CB= 300V, I_E= 0

V_EB= 4V, I_C= 0

Min Typ Max Unit

–

1.0 µA

200

V_CE= 10V, I_C= 100mA

Gain–Bandwidth Product

NTE2530

f_T

V_CE= 10V, I_C= 100mA

–

MHz

NTE2531

Collector–Emitter Saturation Voltage

Base–Emitter Saturation Voltage

Collector–Base Breakdown Voltage

Collector–Emitter Breakdown Voltage

Emitter–Base Breakdown Voltage

V_CE(sat)I_C= 500mA, I_B= 50mA

V_BE(sat)I_C= 500mA, I_B= 50mA

V_(BR)CBOI_C= 10µA, I_E= 0

–

1.0

–

400

–

V_(BR)CEOI_C= 1mA, R_BE= ∞

V_(BR)EBOI_E= 10µA, I_C= 0

–

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