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NTE252

更新时间: 2024-11-24 04:36:03
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NTE 晶体放大器晶体管功率双极晶体管达林顿晶体管功率放大器局域网
页数 文件大小 规格书
3页 29K
描述
Silicon Complementary Transistors Darlington Power Amplifier

NTE252 技术参数

生命周期:ActiveReach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99风险等级:1.66
Is Samacsys:N外壳连接:COLLECTOR
最大集电极电流 (IC):20 A集电极-发射极最大电压:100 V
配置:DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR最小直流电流增益 (hFE):100
JEDEC-95代码:TO-3JESD-30 代码:O-MBFM-P2
元件数量:1端子数量:2
封装主体材料:METAL封装形状:ROUND
封装形式:FLANGE MOUNT极性/信道类型:PNP
功耗环境最大值:160 W最大功率耗散 (Abs):160 W
认证状态:Not Qualified子类别:Other Transistors
表面贴装:NO端子形式:PIN/PEG
端子位置:BOTTOM晶体管应用:AMPLIFIER
晶体管元件材料:SILICONBase Number Matches:1

NTE252 数据手册

 浏览型号NTE252的Datasheet PDF文件第2页浏览型号NTE252的Datasheet PDF文件第3页 
NTE251 (NPN) & NTE252 (PNP)  
Silicon Complementary Transistors  
Darlington Power Amplifier  
Description:  
The NTE251 (NPN) and NTE252 (PNP) are silicon complementary Darlington transistors in a TO3  
type case designed for general–purpose amplifier and low–frequency switching applications.  
Features:  
D High DC Current Gain @ IC = 10A:  
hFE = 2400 Typ (NTE251)  
hFE = 4000 Typ (NTE252)  
D Collector–Emitter Sustaining Voltage: VCEO(sus) = 100V Min  
D Monolithic Construction with Built–In Base–Emitter Shunt Resistors  
Absolute Maximum Ratings: (TA = +25°C unless otherwise specified)  
Collector–Emitter Voltage, VCEO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 100V  
Collector–Base Voltage, VCB . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 100V  
Emitter–Base Voltage, VEB . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5V  
Collector Current, IC  
Continuous . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 20A  
Peak . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 40A  
Base Current, IB . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 500mA  
Total Power Dissipation (TC = +25°C), PD . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 160W  
Derate Above 25°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0.915W/°C  
Operating Junction Temperature Range, TJ . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –65° to +200°C  
Storage Temperature Range, Tstg . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –65° to +200°C  
Thermal Resistance, Junction–to–Case, RthJC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1.09°C/W  

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型号 品牌 替代类型 描述 数据表
PMD17K100 CENTRAL

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