NTE2510

更新时间： 2024-11-19 22:40:39

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NTE		晶体晶体管
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2页	25K
描述
Silicon NPNTransistor High Frequency Video Output

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NTE2510 技术参数

生命周期：	Active	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	1.97
Is Samacsys：	N	最大集电极电流 (IC)：	0.5 A
配置：	Single	最小直流电流增益 (hFE)：	20
最高工作温度：	150 °C	极性/信道类型：	NPN
最大功率耗散 (Abs)：	5 W	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	NO	Base Number Matches：	1

NTE2510 数据手册

NTE2510

Silicon NPNTransistor

High Frequency Video Output

Features:

D High Gain Bandwidth Product: f_T= 2GHz

D High Current Capacity: I_C= 500mA

Applications:

D High–Definition CRT Display Video Output

D Wide–Band Amp

Absolute Maximum Ratings: (T_A= +25°C unless otherwise specified)

Collector–to–Base Voltage, V_CBO. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 30V

Collector–to–Emitter Voltage, V_CEO. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 20V

Emitter–to–Base Voltage, V_EBO. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3V

Collector Current, I_C

Continuous . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 500mA

Peak . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1000mA

Collector Dissipation, P_C

T_A= +25°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1.3W

T_C= +25°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5W

Operating Junction Temperature, T_J. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +150°C

Storage Temperature Range, T_stg. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –55° to +150°C

Electrical Characteristics: (T_A= +25°C unless otherwise specified)

Parameter

Collector Cutoff Current

Emitter Cutoff Current

DC Current Gain

Symbol

I_CBO

Test Conditions

V_CB= 20V, I_E= 0

Min Typ Max Unit

–

0.1

5.0

120

–

µA

I_EBO

V_EB= 2V, I_C= 0

h_FE

V_CE= 5V, I_C= 50mA

V_CE= 5V, I_C= 500mA

V_CE= 5V, I_C= 100mA

–

Gain Bandwidth Product

f_T

2.0

–

GHz

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