NTE2521

更新时间： 2024-11-23 22:40:39

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NTE		晶体晶体管功率双极晶体管电视放大器局域网
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描述
Silicon NPN Transistor Video Output for HDTV

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NTE2521 技术参数

生命周期：	Active	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.29.00.75
风险等级：	5.73	Is Samacsys：	N
最大集电极电流 (IC)：	0.3 A	集电极-发射极最大电压：	250 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	20
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	极性/信道类型：	NPN
最大功率耗散 (Abs)：	10 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	400 MHz	Base Number Matches：	1

NTE2521 数据手册

NTE2521

Silicon NPN Transistor

Video Output for HDTV

Features:

D High Gain Bandwidth Product: f_T= 400MHz Typ

D High Breakdown Voltage: V_CEO≥ 250V Min

D High Current

D Low Reverse Transfer Capacitance and Excellent HF Response

Absolute Maximum Ratings: (T_A= +25°C unless otherwise specified)

Collector to Base Voltage, V_CBO. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 250V

Collector to Emitter Voltage, V_CEO. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 250V

Emitter to Base Voltage, V_EBO. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3V

Collector Current, I_C

Continuous . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 300mA

Peak . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 600mA

Collector Dissipation, P_C

T_A= +25°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1.3W

T_C= +25°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10W

Operating Junction Temperature, T_J. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +150°C

Storage Temperature Range, T_stg. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –55° to +150°C

Electrical Characteristics: (T_A= +25°C unless otherwise specified)

Parameter

Collector Cutoff Current

Emitter Cutoff Current

DC Current Gain

Symbol

I_CBO

Test Conditions

V_CB= 150V, I_E= 0

Min Typ Max Unit

–

0.1

320

–

µA

I_EBO

V_EB= 2V, I_C= 0

h_FE

V_CE= 10V, I_C= 50mA

V_CE= 10V, I_C= 250mA

V_CE= 30V, I_C= 100mA

V_CB= 30V, f = 1MHz

–

Gain Bandwidth Product

Output Capacitance

f_T

400

4.2

3.4

–

MHz

C_ob

C_re

–

Reverse Transfer Capacitance

–

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