5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > 晶体管 > 功率双极晶体管> NTE253
NTE253 PDF预览

NTE253

更新时间： 2024-11-19 22:54:19
品牌 Logo 应用领域
NTE 晶体放大器晶体管功率双极晶体管达林顿晶体管功率放大器局域网
页数 文件大小 规格书
2页 28K
描述
Silicon Complementary Transistors Darlington Power Amplifier

阅读下载

中文翻译

获取价格

NTE253 技术参数

生命周期：ActiveReach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99风险等级：1.66
Is Samacsys：N最大集电极电流 (IC)：4 A
集电极-发射极最大电压：80 V配置：DARLINGTON
最小直流电流增益 (hFE)：100JEDEC-95代码：TO-126
JESD-30 代码：R-PSFM-W3元件数量：1
端子数量：3封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
极性/信道类型：NPN功耗环境最大值：40 W
最大功率耗散 (Abs)：40 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：NO
端子形式：WIRE端子位置：SINGLE
晶体管应用：AMPLIFIER晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

NTE253 数据手册

 浏览型号NTE253的Datasheet PDF文件第2页 
NTE253 (NPN) & NTE254 (PNP)  
Silicon Complementary Transistors  
Darlington Power Amplifier  
Description:  
The NTE253 (NPN) and NTE254 (PNP) are silicon complementary Darlington transistors in a TO126  
type case designed for general–purpose amplifier and low–speed switching applications.  
Features:  
D High DC Current Gain: hFE = 2000 (Typ) @ IC = 2A  
D Monolithic Construction with Built–In Base–Emitter Resistors to Limit Leakage Multiplication  
Absolute Maximum Ratings: (TA = +25°C unless otherwise specified)  
Collector–Emitter Voltage, VCEO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 80V  
Collector–Base Voltage, VCB . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 80V  
Emitter–Base Voltage, VEB . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5V  
Collector Current, IC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4A  
Base Current, IB . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 100mA  
Total Power Dissipation (TC = +25°C), PD . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 40W  
Derate Above 25°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0.32W/°C  
Operating Junction Temperature Range, TJ . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –65° to +150°C  
Storage Temperature Range, Tstg . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –65° to +150°C  
Thermal Resistance, Junction–to–Case, RthJC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3.23°C/W  
Electrical Characteristics: (TA = +25°C unless otherwise specified)  
Parameter  
Symbol  
Test Conditions  
Min  
Typ  
Max  
Unit  
OFF Characteristics  
Collector–Emitter Breakdown Voltage  
Collector Cutoff Current  
V
I = 50mA, I = 0, Note 1  
80  
–
–
–
–
–
–
–
V
(BR)CEO  
C
B
I
I
V
= 80V, I = 0  
100  
100  
500  
2.0  
µA  
µA  
µA  
mA  
CEO  
CBO  
CE  
CE  
CE  
BE  
B
V
V
V
= 80V, I = 0  
–
E
= 80V, I = 0, T = +100°C  
–
E
C
Emitter Cutoff Current  
I
= 5V, I = 0  
–
EBO  
C
12

中文翻译

下载PDF

NTE253 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
MJE802G ONSEMI

功能相似

 4.0 AMPERE DARLINGTON POWER TRANSISTORS COMPLEMENTARY SILICON 40 WATT 50 WATT
BD681G ONSEMI

功能相似

 Plastic Medium−Power Silicon NPN Darlingtons
2N6039G ONSEMI

功能相似

 Plastic Darlington Complementary Silicon Power Transistors

与NTE253相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
NTE2530 NTE

获取价格

 		Silicon Complementary Transistors High Voltage Driver
NTE2531 NTE

获取价格

 		Silicon Complementary Transistors High Voltage Driver
NTE2532 NTE

获取价格

 		Integrated Circuit NMOS, 32K EPROM, 300ns
NTE2533 NTE

获取价格

 		Silicon NPN Transistor High-Definition Color Display Horizontal Deflection Output
NTE2534 NTE

获取价格

 		Silicon Complementary Transistors High Current Switch
NTE2535 NTE

获取价格

 		Silicon Complementary Transistors High Current Switch
NTE2536 NTE

获取价格

 		Silicon Complementary Transistors High Current Switch
NTE2537 NTE

获取价格

 		Silicon Complementary Transistors High Current Switch
NTE2538 NTE

获取价格

 		Silicon NPN Transistor High Voltage, High Current Switch
NTE2539 NTE

获取价格

 		Silicon NPN Transistor High Voltage, High Speed Switch

与NTE253相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证