NTE2530

更新时间： 2024-11-19 22:40:39

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NTE		晶体驱动器晶体管高压
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2页	26K
描述
Silicon Complementary Transistors High Voltage Driver

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NTE2530 数据手册

NTE2530 (NPN) & NTE2531 (PNP)

Silicon Complementary Transistors

High Voltage Driver

Features:

D High Current Capacity: I_C= 2A

D High Breakdown Voltage: V_CEO= 400V Min

Absolute Maximum Ratings: (T_A= +25°C unless otherwise specified)

Collector Base Voltage, V_CBO. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 400V

Collector Emitter Voltage, V_CEO. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 400V

Emitter Base Voltage, V_EBO. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5V

Collector Current, I_C

Continuous . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2A

Pulse . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4A

Collector Power Dissipation, P_C

T_A= +25°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1W

T_C= +25°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 15W

Operating Junction Temperature, T_J. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +150°C

Storage Temperature Range, T_stg. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –55° to +150°C

Electrical Characteristics: (T_A= +25°C unless otherwise specified)

Parameter

Collector Cutoff Current

Emitter Cutoff Current

DC Current Gain

Symbol

I_CBO

I_EBO

h_FE

Test Conditions

V_CB= 300V, I_E= 0

V_EB= 4V, I_C= 0

Min Typ Max Unit

–

1.0 µA

200

V_CE= 10V, I_C= 100mA

Gain–Bandwidth Product

NTE2530

f_T

V_CE= 10V, I_C= 100mA

–

MHz

NTE2531

Collector–Emitter Saturation Voltage

Base–Emitter Saturation Voltage

Collector–Base Breakdown Voltage

Collector–Emitter Breakdown Voltage

Emitter–Base Breakdown Voltage

V_CE(sat)I_C= 500mA, I_B= 50mA

V_BE(sat)I_C= 500mA, I_B= 50mA

V_(BR)CBOI_C= 10µA, I_E= 0

–

1.0

–

400

–

V_(BR)CEOI_C= 1mA, R_BE= ∞

V_(BR)EBOI_E= 10µA, I_C= 0

–

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