NTE245

更新时间： 2024-11-19 22:54:19

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NTE		晶体放大器晶体管功率双极晶体管达林顿晶体管功率放大器局域网
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描述
Silicon Complementary Transistors Darlington Power Amplifier

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NTE245 技术参数

生命周期：	Active	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	1.66
Is Samacsys：	N	外壳连接：	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：	10 A	集电极-发射极最大电压：	80 V
配置：	DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR	最小直流电流增益 (hFE)：	1000
JEDEC-95代码：	TO-3	JESD-30 代码：	O-MBFM-P2
元件数量：	1	端子数量：	2
封装主体材料：	METAL	封装形状：	ROUND
封装形式：	FLANGE MOUNT	极性/信道类型：	NPN
功耗环境最大值：	150 W	最大功率耗散 (Abs)：	150 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	NO	端子形式：	PIN/PEG
端子位置：	BOTTOM	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

NTE245 数据手册

NTE245 (NPN) & NTE246 (PNP)

Silicon Complementary Transistors

Darlington Power Amplifier

Description:

The NTE245 (NPN) and NTE246 (PNP) are silicon complementary Darlington transistors in a TO3

type case designed for use as output devices in general purpose amplifier applications.

Features:

D High DC Current Gain: h_FE= 4000 Typ @ I_C= 5A

D Monolithic Construction with Built–In Base–Emitter Shunt Resistors

Absolute Maximum Ratings:

Collector–Emitter Voltage, V_CEO. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 80V

Collector–Base Voltage, V_CB. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 80V

Emitter–Base Voltage, V_EB. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5V

Collector Current, I_C. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10A

Base Current, I_B. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 200mA

Total Power Dissipation (T_C= +25°C), P_D. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 150W

Derate Above 25°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0.857W/°C

Operating Junction Temperature Range, T_J. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –55° to +200°C

Storage Temperature Range, T_stg. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –55° to +200°C

Thermal Resistance, Junction–to–Case, R_thJC. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1.17°C/W

Electrical Characteristics: (T_C= +25°C unless otherwise specified)

Parameter

Symbol

Test Conditions

Min Typ Max Unit

OFF Characteristics

Collector–Emitter SustainingVoltage

Collector–Emitter Leakage Current

I = 100mA, I = 0, Note 1

–

CEO(sus)

= 40V, I = 0

1.0 mA

5.0 mA

2.0 mA

CEO

= 80V, R = 1kΩ

–

CER

= 80V, R = 1kΩ, T = +150°C

–

Emitter Cutoff Current

= 5V, I = 0

–

EBO

Note 1. Pulse Test: Pulse Width = 300µs, Duty Cycle = 2%

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