NTE2413

更新时间： 2024-11-23 22:49:55

品牌	Logo	应用领域
NTE		晶体放大器小信号双极晶体管光电二极管
页数	文件大小	规格书
2页	23K
描述
Silicon PNP Transistor General Purpose, High Voltage Amp, (Compl to NTE2412)

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NTE2413 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Code：	unknown	HTS代码：	8541.21.00.95
风险等级：	2.19	Is Samacsys：	N
最大集电极电流 (IC)：	0.05 A	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	50	JESD-30 代码：	R-PDSO-G3
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	PNP
最大功率耗散 (Abs)：	0.31 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	60 MHz	Base Number Matches：	1

NTE2413 数据手册

NTE2413

Silicon PNP Transistor

General Purpose, High Voltage Amp,

(Compl to NTE2412)

Description:

The NTE2413 is a silicon PNP transistor in an SOT–23 type surface mount package designed for use

primarily in telephone and professional communication equipment.

Absolute Maximum Ratings:

Collector–Base Voltage, V_CBO. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 300V

Collector–Emitter Voltage (R_BE= 2.7kΩ), V_CER. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 300V

Emitter–Base Voltage, V_EBO. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5V

Collector Current, I_C

Continuous . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 50mA

Peak . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 100mA

Total Power Dissipation (T_A≤ +35°C, Note 1), P_tot. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 310mW

Operating Junction Temperature, T_J. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +150°C

Storage Temperature Range, T_stg. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –65° to +150°C

Thermal Resistance, Junction–to–Tab, R_thJT. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 50K/W

Thermal Resistance, Tab–to–Soldering Points, R_thTS. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 260K/W

Thermal Resistance, Soldering Points–to–Ambient (Note 1), R_thSA. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 60K/W

Note 1. Mounted on a ceramic substrate 2.5cm²x 0.7mm.

Electrical Characteristics: (T_J= +25°C unless otherwise specified)

Parameter

Symbol

I_CBO

Test Conditions

V_CB= 200V, I_E= 0

Min Typ Max Unit

Collector Cutoff Current

–

µA

I_CER

V_CE= 250V, R_BE= 2.7kΩ

V_CE= 200V, R_BE= 2.7kΩ,

T_J= +150°C

Collector–Emitter Saturation Voltage V_CE(sat)I_C= 30mA, I_B= 5mA

–

0.8

–

DC Current Gain

h_FE

f_T

V_CE= 20V, I_C= 25mA

Transition Frequency

V_CE= 10V, I_E= 10mA,

f = 35MHz

–

MHz

Capacitance

C_re

V_CE= 30V, I_C= 0, f = 1MHz

–

1.6

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