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NTE244 PDF预览

NTE244

更新时间： 2024-11-20 04:36:03
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NTE 晶体放大器晶体管功率双极晶体管达林顿晶体管功率放大器局域网
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2页 29K
描述
Silicon Complementary Transistors Darlington Power Amplifier

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NTE244 技术参数

生命周期：ActiveReach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99风险等级：1.67
Is Samacsys：N外壳连接：COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：8 A集电极-发射极最大电压：80 V
配置：DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR最小直流电流增益 (hFE)：100
JEDEC-95代码：TO-3JESD-30 代码：O-MBFM-P2
元件数量：1端子数量：2
封装主体材料：METAL封装形状：ROUND
封装形式：FLANGE MOUNT极性/信道类型：PNP
功耗环境最大值：150 W最大功率耗散 (Abs)：100 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：NO端子形式：PIN/PEG
端子位置：BOTTOM晶体管应用：AMPLIFIER
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

NTE244 数据手册

 浏览型号NTE244的Datasheet PDF文件第2页 
NTE243 (NPN) & NTE244 (PNP)  
Silicon Complementary Transistors  
Darlington Power Amplifier  
Description:  
The NTE243 (NPN) and NTE244 (PNP) are silicon complementary Darlington transistors in a TO3  
type case designed for general–purpose amplifier and low–frequency switching applications.  
Features:  
D High DC Current Gain: hFE = 3000 Typ @ IC = 4A  
D Collector–Emitter Sustaining Voltage: VCEO(sus) = 80V Min @ 100mA  
D Low Collector–Emitter Saturation Voltage:  
V
CE(sat) = 2V Max @ IC = 4A  
= 3V Max @ IC = 8A  
D Monolithic Construction with Built–In Base–Emitter Shunt Resistors  
Absolute Maximum Ratings:  
Collector–Emitter Voltage, VCEO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 80V  
Collector–Base Voltage, VCB . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 80V  
Emitter–Base Voltage, VEB . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5V  
Collector Current, IC  
Continuous . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 8A  
Peak . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 16A  
Base Current, IB . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 120mA  
Total Power Dissipation (TC = +25°C), PD . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 100W  
Derate Above 25°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0.571W/°C  
Operating Junction Temperature Range, TJ . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –65° to +200°C  
Storage Temperature Range, Tstg . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –65° to +200°C  
Thermal Resistance, Junction–to–Case, RthJC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1.78°C/W  
Electrical Characteristics: (TA = +25°C unless otherwise specified)  
Parameter  
OFF Characteristics  
Symbol  
Test Conditions  
Min Typ Max Unit  
Collector–Emitter SustainingVoltage  
Collector Cutoff Current  
V
I = 100mA, I = 0, Note 1  
80  
–
–
–
–
–
–
–
V
CEO(sus)  
C
B
I
V
= 40V, I = 0  
0.5 mA  
0.5 mA  
5.0 mA  
2.0 mA  
CEO  
CE  
CE  
CE  
BE  
E
I
V
V
V
= 80V, V  
= 1.5V  
–
CEX  
BE(off)  
BE(off)  
= 80V, V  
= 1.5V, T = +150°C  
–
A
Emitter Cutoff Current  
I
= 5V, I = 0  
–
EBO  
C
Note 1. Pulse Test: Pulse Width = 300µs, Duty Cycle = 2%  
12

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