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NTE2502

更新时间: 2024-11-24 04:36:03
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NTE 晶体晶体管功率双极晶体管放大器局域网
页数 文件大小 规格书
2页 25K
描述
Silicon Complementary Transistors High Voltage for Video Output

NTE2502 技术参数

生命周期:Active零件包装代码:SIP
包装说明:TO-126ML, 3 PIN针数:3
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.29.00.75风险等级:5.75
Is Samacsys:N最大集电极电流 (IC):0.1 A
集电极-发射极最大电压:300 V配置:SINGLE
最小直流电流增益 (hFE):100JESD-30 代码:R-PSFM-T3
元件数量:1端子数量:3
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT极性/信道类型:PNP
最大功率耗散 (Abs):1.5 W认证状态:Not Qualified
子类别:Other Transistors表面贴装:NO
端子形式:THROUGH-HOLE端子位置:SINGLE
晶体管应用:AMPLIFIER晶体管元件材料:SILICON
标称过渡频率 (fT):70 MHzBase Number Matches:1

NTE2502 数据手册

 浏览型号NTE2502的Datasheet PDF文件第2页 
NTE2501 (NPN) & NTE2502 (PNP)  
Silicon Complementary Transistors  
High Voltage for Video Output  
Features:  
D High Breakdown Voltage  
D Excellent High Frequency Characteristics  
Applications:  
D High Definition CRT Display  
D Color TV Chroma Output, High Breakdown Voltage Drivers  
Absolute Maximum Ratings: (TA = +25°C unless otherwise specified)  
Collector–Base Voltage, VCBO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 300V  
Collector–Emitter Voltage, VCEO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 300V  
Emitter–Base Voltage, VEBO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5V  
Collector Current, IC  
Continuous . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 100mA  
Peak . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 200mA  
Collector Dissipation, PC  
TA = +25°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1.5W  
TC = +25°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 7W  
Operating Junction Temperature, TJ . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +150°C  
Storage Temperature Range, Tstg . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –55° to +150°C  
Electrical Characteristics: (TA = +25°C unless otherwise specified)  
Parameter  
Collector Cutoff Current  
Emitter Cutoff Current  
DC Current Gain  
Symbol  
ICBO  
IEBO  
hFE  
Test Conditions  
VCB = 200V, IE = 0  
VEB = 4V, IC = 0  
Min Typ Max Unit  
0.1  
0.1  
200  
µA  
µA  
VCE = 10V, IC = 10mA  
VCE = 30V, IC = 10mA  
100  
Gain Bandwidth Product  
fT  
70  
MHz  

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