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NTE2430

更新时间： 2024-10-31 22:54:19

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NTE		晶体开关放大器晶体管
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2页	22K
描述
Silicon NPN Transistor High Voltage Amp/Switch (Compl to NTE2431)

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NTE2430 数据手册

NTE2430

Silicon NPN Transistor

High Voltage Amp/Switch

(Compl to NTE2431)

Description:

The NTE2430 is a silicon NPN transistor in a SOT–89 type surface mount package designed for use

in amplifier and switching switching applications.

Absolute Maximum Ratings:

Collector–Base Voltage (Open Emitter), V_CBO. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 400V

Collector–Emitter Voltage (Open Base), V_CEO. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 350V

Emitter–Base Voltage (Open Collector), V_EBO. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5V

DC Collector Current, I_C. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1A

Base Current, I_B. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 500mA

Total Power Dissipation (T_A≤ +25°C, Note 1), P_tot. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1W

Operating Junction Temperature, T_J. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +150°C

Storage Temperature Range, T_stg. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –65° to +150°C

Thermal Resistance, Junction–to–Ambient (Note 1), R_thJA. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 125K/W

Note 1. Device mounted on a ceramic substrate; area = 2.5cm², thickness = 0.7mm.

Electrical Characteristics: (T_J= +25°C unles otherwise specified)

Parameter

Collector Cutoff Current

Emitter Cutoff Current

Symbol

Test Conditions

Min Typ Max Unit

= 300V, I = 0

–

500

1.3

–

µA

CES

= 5V, I = 0

EBO

Collector–Emitter Saturation Voltage

Base–Emitter Saturation Voltage

DC Current Gain

CE(sat)

BE(sat)

I = 50mA, I = 4mA

–

I = 50mA, I = 4mA

–

= 10V, I = 20mA

–

Collector Capacitance

I = I = 0, V = 10, f = 1MHz

Transitional Frequency

= 10V, I = 10mA, f = 5MHz

–

MHz

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