NTE2414

更新时间： 2024-11-19 22:49:55

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NTE		晶体小信号双极晶体管开关光电二极管
页数	文件大小	规格书
2页	27K
描述
Silicon Complementary Transistors Digital w/2 Built-In Bias 10k Resistors (Surface Mount)

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NTE2414 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.21.00.75	风险等级：	2.19
Is Samacsys：	N	其他特性：	BUILT IN BIAS RESISTOR RATIO 1
最大集电极电流 (IC)：	0.1 A	集电极-发射极最大电压：	50 V
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR	最小直流电流增益 (hFE)：	50
JESD-30 代码：	R-PDSO-G3	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	NPN	最大功率耗散 (Abs)：	0.2 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	BIP General Purpose Small Signal
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	250 MHz
Base Number Matches：	1

NTE2414 数据手册

NTE2414 (NPN) & NTE2415 (PNP)

Silicon Complementary Transistors

Digital ^w/2 Built–In Bias 10k Resistors

(Surface Mount)

Features:

D Built–In Bias Resistors

D Small SOT–23 Surface Mount Package

Applications:

D Switching Circuits

D Inverters

D Interface Circuits

D Driver

Absolute Maximum Ratings: (T_A= +25°C unless otherwise specified)

Collector–Base Voltage, V_CBO. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 50V

Collector–Emitter Voltage, V_CEO. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 50V

Emitter–Base Voltage, V_EBO. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10V

Collector Current, I_C

Continuous . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 100mA

Peak . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 200mA

Collector Dissipation, P_C. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 200mW

Operating Junction Temperature, T_J. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +150°C

Storage Temperature Range, T_stg. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –55° to +150°C

Electrical Characteristics: (T_A= +25°C unless otherwise specified)

Parameter

Symbol

I_CBO

Test Conditions

V_CB= 40V, I_E= 0

Min Typ Max Unit

Collector Cutoff Current

–

0.1

0.5

µA

I_CEO

V_CE= 40V, I_B= 0

V_EB= 5V, I_C= 0

Emitter Cutoff Current

DC Current Gain

I_EBO

170 250 330 µA

h_FE

V_CE= 5V, I_C= 10mA

–

Collector–Base Breakdown Voltage V_(BR)CBOI_C= 10µA, I_E= 0

Collector–Emitter Breakdown Voltage V_(BR)CBOI_C= 100µA, R_BE= ∞

Collector–Emitter Saturation Voltage V_CE(sat)I_C= 10mA, I_B= 0.5mA

–

0.1

0.3

Current Gain–Bandwidth Product

NTE2414

f_T

V_CE= 10V, I_C= 5mA

–

250

200

–

MHz

NTE2415

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