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NTE2401

更新时间： 2024-11-19 22:49:55

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NTE		晶体晶体管射频
页数	文件大小	规格书
2页	25K
描述
Silicon PNP Transistor RF Stages in FM Front Ends

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NTE2401 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.21.00.75	风险等级：	2.19
最大集电极电流 (IC)：	0.025 A	集电极-发射极最大电压：	30 V
配置：	SINGLE	JESD-30 代码：	R-PDSO-G3
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	PNP
最大功率耗散 (Abs)：	0.3 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	450 MHz	Base Number Matches：	1

NTE2401 数据手册

NTE2401

Silicon PNP Transistor

RF Stages in FM Front Ends

Description:

The NTE2401 is a silicon PNP transistor in a plastic SOT–23 type surface mount package designed

for use in RF stages in FM front–ends in common base configuration for SMD applications.

Absolute Maximum Ratings:

Collector–Base Voltage, V_CBO. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 30V

Collector–Emitter Voltage, V_CEO. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 30V

Emitter–Base Voltage, V_EBO. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4V

DC Collector Current, I_C. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 25mA

Total Power Dissipation (T_A≤ +25°C, Note 1), P_tot. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 300mW

Operating Junction Temperature, T_J. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +150°C

Storage Temperature Range, T_stg. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –55° to +150°C

Thermal Resistance, Junction–to–Ambient (Note 1), R_thJA. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 430K/W

Note 1. Mounted on a ceramic substrate of .314 (8mm) x .393 (10mm) x .027 (0.7mm).

Electrical Characteristics: (T_J= +25°C unless otherwise specified)

Parameter

Collector Cutoff Current

Emitterr Cutoff Current

Base Current

Symbol

I_CBO

I_EBO

I_B

Test Conditions

V_CB= 30V, I_E= 0

Min Typ Max Unit

–

V_EB= 4V, I_C= 0

–

µA

V_CE= 10V, I_C= 4mA

V_CE= 10V, I_C= 1mA

V_CE= 10V, I_C= 4mA

V_CE= 10V, I_C= 1mA

V_CE= 10V, I_C= 4mA

V_CE= 10V, I_C= 8mA

V_CE= 10V, V_EB= 0

160 µA

–

µA

Base–Emitter Voltage

Transition Frequency

V_BE

f_T

0.76

350

450

440

0.1

3.0

3.5

MHz

Feedback Capacitance

Noise Factor

C_rb

V_CE= 10V, I_C= 2mA, G_s= 16.7mS

V_CE= 10V, I_C= 5mA, G_s= 6.7mS,

jB_s= 5mS

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