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NTE2406

更新时间： 2024-01-31 10:46:49
品牌 Logo 应用领域
NTE 晶体放大器晶体管
页数 文件大小 规格书
3页 29K
描述
Silicon NPN Transistor General Purpose Amp, Surface Mount (Compl to NTE2407)

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NTE2406 技术参数

生命周期：Active包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Code：unknownHTS代码：8541.21.00.95
风险等级：2.12最大集电极电流 (IC)：0.8 A
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：100
JESD-30 代码：R-PDSO-G3元件数量：1
端子数量：3封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
极性/信道类型：NPN最大功率耗散 (Abs)：0.425 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：YES端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL晶体管应用：AMPLIFIER
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：300 MHz
Base Number Matches：1

NTE2406 数据手册

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NTE2406  
Silicon NPN Transistor  
General Purpose Amp, Surface Mount  
(Compl to NTE2407)  
Absolute Maximum Ratings: (TA = +25°C unless otherwise specified)  
Collector–Base Voltage, VCBO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 75V  
Collector–Emitter Voltage, VCEO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 40V  
Emitter–Base Voltage, VEBO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6V  
Continuous Collector Current, IC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 600mA  
Total Device Dissipation (FR–5 Board, Note 1), PD . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 225mW  
Derate above +25°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1.8mW/°C  
Thermal Resistance, Junction–to–Ambient (FR–5 Board, Note 1), RthJA . . . . . . . . . . . . . . 556°C/W  
Total Device Dissipation (Alumina Substrate, Note 2), PD . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 300mW  
Derate above +25°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2.4mW/°C  
Thermal Resistance, Junction–to–Ambient (Alumina Substrate, Note 2), RthJA . . . . . . . . 417°C/W  
Operating Junction Temperature Range, TJ . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –55 ° to +150°C  
Storage Temperature Range, Tstg . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –55 ° to +150°C  
Note 1. FR–5 = 1.000 (25.4mm) x .750 (19.05mm) x .062 (1.57mm).  
Note 2. Alumina = .400 (10.2mm) x .300 (7.62mm) x .024 (.609mm), 99.5% alumina.  
Electrical Characteristics: (TA = +25°C unless otherwise specified)  
Parameter  
OFF Characteristics  
Symbol  
Test Conditions  
Min  
Typ Max Unit  
Collector–Base Breakdown Voltage  
Collector–Emitter Breakdown Voltage  
Emitter–Base Breakdown Voltage  
Collector Cutoff Current  
V
V
I = 10µA, I = 0  
75  
40  
6
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
V
(BR)CBO  
C
E
I = 10mA, I = 0  
V
(BR)CEO  
C
B
V
I = 10µA, I = 0  
–
V
(BR)EBO  
E
C
I
V
= 60V, I = 0  
–
0.01  
10  
10  
10  
20  
µA  
µA  
nA  
nA  
nA  
CBO  
CB  
CB  
CE  
EB  
CE  
E
V
V
V
V
= 60V, I = 0, T = +125°C  
–
E
A
I
= 60V, V  
= 3V  
–
CEX  
EB(off)  
Emitter Cutoff Current  
Base Cutoff Current  
I
= 3V, I = 0  
–
EBO  
C
I
BL  
= 60V, V  
= 3V  
–
EB(off)  
123

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