NTE24

更新时间： 2024-11-01 07:08:15

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NTE		晶体开关放大器小信号双极晶体管
页数	文件大小	规格书
2页	25K
描述
Silicon Complementary Transistors General Purpose Amplifier, Switch

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NTE24 技术参数

生命周期：	Active	零件包装代码：	TO-237
包装说明：	TO-237, 3 PIN	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.21.00.95	风险等级：	2.14
Is Samacsys：	N	最大集电极电流 (IC)：	1 A
集电极-发射极最大电压：	80 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	25	JEDEC-95代码：	TO-237AA
JESD-30 代码：	O-PBCY-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	ROUND	封装形式：	CYLINDRICAL
极性/信道类型：	NPN	功耗环境最大值：	2 W
最大功率耗散 (Abs)：	1 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	BOTTOM
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	50 MHz	Base Number Matches：	1

NTE24 数据手册

NTE24 (NPN) & NTE25 (PNP)

Silicon Complementary Transistors

General Purpose Amplifier, Switch

Description:

The NTE24 (NPN) and NTE25 (PNP) are complementary silicon transistors in a TO237 type package

designed for general purpose medium power amplifier and switching circuits that require collector cur-

rents to 1A.

Features:

D High Collector–Emitter Breakdown Voltage: V_CEO= 80V

D Exceptional Power Dissipation Capability

Absolute Maximum Ratings: (T_A= +25°C unless otherwise specified)

Collector–Base Voltage, V_CBO. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 100V

Collector–Emitter Voltage, V_CEO. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 80V

Emitter–Base Voltage, V_EBO. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5V

Collector Current, I_C

Continuous . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1A

Peak . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2A

Power Dissipation, P_D

T_A= +25°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 850mW

T_C= +25°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2W

Junction Temperature, T_J(max). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +150°C

Storage Temperature Range, T_stg. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –55° to +150°C

Thermal Resistance, Junction–to–Case, R_thJC. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 50°C/W

Thermal Resistance, Junction–to–Ambient, R_thJA. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 167°C/W

Electrical Characteristics: (T_A= +25°C unless otherwise specified)

Parameter

Collector–Emitter Breakdown Voltage

Collector Cutoff Current

Emitter Cutoff Current

Symbol

Test Conditions

I = 10mA, I = 0

Min

–

Typ Max Unit

–

0.1

100

–

(BR)CEO

= 100V, I = 0

µA

CBO

= 5V, I = 0

–

EBO

DC Current Gain

= 2V, I = 50mA

= 2V, I = 250mA

–

= 2V, I = 500mA

–

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