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NTE2405

更新时间： 2024-11-20 04:00:19

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NTE		晶体晶体管达林顿晶体管
页数	文件大小	规格书
2页	25K
描述
Silicon Complementary Transistors Darlington, General Purpose

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NTE2405 数据手册

NTE2404 (NPN) & NTE2405 (PNP)

Silicon Complementary Transistors

Darlington, General Purpose

Description:

The NTE2404 (NPN) and NTE2405 (PNP) are silicon complementary Darlington transistors in an

SOT–23 type surface mount case designed for general–purpose applications.

Absolute Maximum Ratings:

Collector–Emitter Voltage, V_CEO. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 30V

Collector–Base Voltage, V_CBO. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 40V

Emitter–Base Voltage, V_EBO. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10V

Collector Current, I_C

Continuous . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 300mA

Peak . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 800mA

Base Current, I_B. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 100mA

Total Power Dissipation (T_A= +25°C, Note 1), P_D. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 350mW

Operating Junction Temperature, T_J. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +150°C

Storage Temperature Range, T_stg. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –65° to +150°C

Thermal Resistance, Junction to Ambient (Note 1), R_thJA. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 350K/W

Note 1. Mounted on a ceramic substrate of .590 (15mm) x .590 (15mm) x .027 (0.7mm).

Electrical Characteristics: (T_A= +25°C unless otherwise specified)

Parameter

Symbol

Test Conditions

= 30V

CBO

Min

Typ Max Unit

Collector–Base Current

–

100

–

CBO

Emitter–Base Current

= 10V

EBO

Collector–Emitter Breakdown Voltage

Collector–Base Breakdown Voltage

Emitter–Base Breakdown Voltage

Collector–Emitter Saturation Voltage

Base–Emitter Saturation Voltage

DC Current Gain

I = 10mA

–

(BR)CEO

(BR)CBO

I = 10µA

–

I = 100nA

–

(BR)EBO

I = 100mA, I = 0.1mA

–

CE(sat)

BE(sat)

I = 100mA, I = 0.1mA

–

1.5

–

I = 1mA, V = 5V

4000

10000

20000

–

I = 10mA, V = 5V

–

I = 100mA, V = 5V

–

Transition Frequency

Collector Capacitance

I = 30mA, V = 5V, f = 100MHz

220

3.5

–

MHz

I = 0, V = 30V

–

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NTE2405 替代型号

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