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NTE2407

更新时间： 2024-01-14 01:36:47
品牌 Logo 应用领域
NTE 晶体放大器晶体管
页数 文件大小 规格书
2页 27K
描述
Silicon PNP Transistor General Purpose Amp, Surface Mount (Compl to NTE2406)

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NTE2407 技术参数

生命周期：Active包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.21.00.75风险等级：2.18
最大集电极电流 (IC)：0.6 A集电极-发射极最大电压：60 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：50
JESD-30 代码：R-PDSO-G3元件数量：1
端子数量：3封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
极性/信道类型：PNP最大功率耗散 (Abs)：0.425 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：YES端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL晶体管应用：AMPLIFIER
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：300 MHz
最大关闭时间（toff）：100 ns最大开启时间（吨）：45 ns
Base Number Matches：1

NTE2407 数据手册

 浏览型号NTE2407的Datasheet PDF文件第2页 
NTE2407  
Silicon PNP Transistor  
General Purpose Amp, Surface Mount  
(Compl to NTE2406)  
Absolute Maximum Ratings: (TA = +25°C unless otherwise specified)  
Collector–Base Voltage, VCBO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 60V  
Collector–Emitter Voltage, VCEO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 60V  
Emitter–Base Voltage, VEBO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5V  
Continuous Collector Current, IC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 600mA  
Total Device Dissipation (FR–5 Board, Note 1), PD . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 225mW  
Derate above +25°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1.8mW/°C  
Thermal Resistance, Junction–to–Ambient (FR–5 Board, Note 1), RthJA . . . . . . . . . . . . . . 556°C/W  
Total Device Dissipation (Alumina Substrate, Note 2), PD . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 300mW  
Derate above +25°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2.4mW/°C  
Thermal Resistance, Junction–to–Ambient (Alumina Substrate, Note 2), RthJA . . . . . . . . 417°C/W  
Operating Junction Temperature Range, TJ . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –55 ° to +150°C  
Storage Temperature Range, Tstg . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –55 ° to +150°C  
Note 1. FR–5 = 1.000 (25.4mm) x .750 (19.05mm) x .062 (1.57mm).  
Note 2. Alumina = .400 (10.2mm) x .300 (7.62mm) x .024 (.609mm), 99.5% alumina.  
Electrical Characteristics: (TA = +25°C unless otherwise specified)  
Parameter  
OFF Characteristics  
Symbol  
Test Conditions  
Min  
Typ Max Unit  
Collector–Base Breakdown Voltage  
Collector–Emitter Breakdown Voltage  
Emitter–Base Breakdown Voltage  
Collector Cutoff Current  
V
V
I = 10µA, I = 0  
60  
60  
5
–
–
–
–
–
–
–
–
–
V
V
(BR)CBO  
C
E
I = 10mA, I = 0, Note 3  
(BR)CEO  
C
B
V
I = 10µA, I = 0  
–
V
(BR)EBO  
E
C
I
V
= 50V, I = 0  
–
0.01  
10  
50  
50  
µA  
µA  
nA  
nA  
CBO  
CB  
CB  
CE  
CE  
E
V
V
V
= 50V, I = 0, T = +125°C  
–
E
A
I
= 30V, V  
= 0.5V  
–
CEX  
EB(off)  
EB(off)  
Base Current  
I
B
= 30V, V  
= 0.5V  
–
Note 3. Pulse Test: Pulse Width ≤ 300µs, Duty Cycle ≤ 2%.  
12

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