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NTE2408 PDF预览

NTE2408

更新时间： 2024-11-19 22:49:55
品牌 Logo 应用领域
NTE 晶体放大器晶体管
页数 文件大小 规格书
2页 25K
描述
Silicon NPN Transistor General Purpose Amp, Surface Mount (Compl to NTE2409)

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NTE2408 技术参数

生命周期：Active包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.21.00.75风险等级：1.57
其他特性：LOW NOISE最大集电极电流 (IC)：0.1 A
集电极-发射极最大电压：65 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：125JESD-30 代码：R-PDSO-G3
元件数量：1端子数量：3
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE极性/信道类型：NPN
最大功率耗散 (Abs)：0.2 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：YES
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
晶体管应用：AMPLIFIER晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：300 MHzBase Number Matches：1

NTE2408 数据手册

 浏览型号NTE2408的Datasheet PDF文件第2页 
NTE2408  
Silicon NPN Transistor  
General Purpose Amp, Surface Mount  
(Compl to NTE2409)  
Description:  
The NTE2408 is a silicon NPN general purpose transistor in a SOT–23 type surface mount package  
designed for use in driver stages of audio amplifiers in thick and thin–film hybrid circuits.  
Absolute Maximum Ratings:  
Collector–Base Voltage, VCBO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 80V  
Collector–Emitter Voltage, VCES . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 80V  
Collector–Emitter Voltage, VCEO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 65V  
Emitter–Base Voltage, VEBO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6V  
Collector Current, IC  
Continuous . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 100mA  
Peak . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 200mA  
Peak Emitter Current, IEM . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 200mA  
Peak Base Current, IBM . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 200mA  
Total Power Dissipation (TA = +60°C, Note 1), Ptot . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 200mW  
Junction Temperature, TJ . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +150°C  
Storage Temperature Range, Tstg . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –65 ° to +150°C  
Thermal Resistance, Junction–to–Tab, RthJT . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 60K/W  
Thermal Resistance, Tab–to–Soldering Points, RthTS . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 280K/W  
Thermal Resistance, Soldering Points–to–Ambient (Note 1), RthSA . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 90K/W  
Note 1. Mounted on a ceramic substrate .314 (8mm) x .393 (10mm) x .027 (0.7mm).  
Electrical Characteristics: (TJ = +25°C unless otherwise specified)  
Parameter  
Symbol  
Test Conditions  
= 30V, I = 0  
Min  
–
Typ Max Unit  
Collector Cutoff Current  
I
V
V
V
V
–
–
15  
5
nA  
µA  
CBO  
CB  
CB  
CE  
CE  
E
= 30V, I = 0, T = +150°C  
–
E
A
Base–Emitter Voltage  
V
BE  
= 5V, I = 2mA, Note 2  
580  
–
660  
–
700  
770  
250  
600  
mV  
mV  
mV  
mV  
C
= 5V, I = 10mA, Note 2  
C
Collector–Emitter Saturation Voltage  
V
CE(sat)  
I = 10mA, I = 0.5mA, Note 3  
–
90  
200  
C
B
I = 100mA, I = 5mA, Note 3  
–
C
B
Note 2. VBE decreases by about 2mV/K with increasing temperature.  
Note 3. VBE(sat) decreases by about 1.7mV with increasing temperature.  
12

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NTE2408 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
SSTA28T116 ROHM

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