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NTE2409

更新时间： 2024-11-19 22:49:55

品牌	Logo	应用领域
NTE		晶体放大器晶体管
页数	文件大小	规格书
2页	25K
描述
Silicon PNP Transistor General Purpose Amp, Surface Mount (Compl to NTE2408)

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NTE2409 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.21.00.75	风险等级：	2.16
其他特性：	LOW NOISE	最大集电极电流 (IC)：	0.1 A
集电极-发射极最大电压：	65 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	220	JESD-30 代码：	R-PDSO-G3
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	PNP
最大功率耗散 (Abs)：	0.2 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	150 MHz	Base Number Matches：	1

NTE2409 数据手册

NTE2409

Silicon PNP Transistor

General Purpose Amp, Surface Mount

(Compl to NTE2408)

Description:

The NTE2409 is a silicon PNP general purpose transistor in a SOT–23 type surface mount package

designed for use in driver stages of audio amplifiers in thick and thin–film hybrid circuits.

Absolute Maximum Ratings:

Collector–Base Voltage, V_CBO. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 80V

Collector–Emitter Voltage, V_CEX. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 80V

Collector–Emitter Voltage, V_CEO. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 65V

Emitter–Base Voltage, V_EBO. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5V

Collector Current, I_C

Continuous . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 100mA

Peak . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 200mA

Peak Emitter Current, I_EM. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 200mA

Peak Base Current, I_BM. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 200mA

Total Power Dissipation (T_A= +60°C, Note 1), P_tot. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 200mW

Junction Temperature, T_J. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +150°C

Storage Temperature Range, T_stg. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –65 ° to +150°C

Thermal Resistance, Junction–to–Tab, R_thJT. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 60K/W

Thermal Resistance, Tab–to–Soldering Points, R_thTS. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 280K/W

Thermal Resistance, Soldering Points–to–Ambient (Note 1), R_thSA. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 90K/W

Note 1. Mounted on a ceramic substrate .314 (8mm) x .393 (10mm) x .027 (0.7mm).

Electrical Characteristics: (T_J= +25°C unless otherwise specified)

Parameter

Symbol

Test Conditions

= 30V, I = 0

Min

–

Typ Max Unit

Collector Cutoff Current

–

µA

CBO

= 30V, I = 0, T = +150°C

–

Base–Emitter Voltage

= 5V, I = 2mA, Note 2

600

–

650

–

750

820

300

650

= 5V, I = 10mA, Note 2

Collector–Emitter Saturation Voltage

CE(sat)

I = 10mA, I = 0.5mA, Note 3

–

250

I = 100mA, I = 5mA, Note 3

–

Note 2. V_BEdecreases by about 2mV/K with increasing temperature.

Note 3. V_BE(sat)decreases by about 1.7mV with increasing temperature.

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