是否无铅: | 不含铅 | 生命周期: | Active |
包装说明: | DPAK-3 | 针数: | 3 |
Reach Compliance Code: | not_compliant | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8541.29.00.95 | Factory Lead Time: | 1 week |
风险等级: | 0.71 | Samacsys Description: | N-channel MOSFET Transistor, 18 A, 60 V, 4-pin D-PAK |
雪崩能效等级(Eas): | 72 mJ | 外壳连接: | DRAIN |
配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压: | 60 V |
最大漏极电流 (Abs) (ID): | 18 A | 最大漏极电流 (ID): | 18 A |
最大漏源导通电阻: | 0.065 Ω | FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
最大反馈电容 (Crss): | 80 pF | JESD-30 代码: | R-PSSO-G2 |
JESD-609代码: | e3 | 湿度敏感等级: | 1 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 2 |
工作模式: | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度: | 175 °C |
最低工作温度: | -55 °C | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | SMALL OUTLINE |
峰值回流温度(摄氏度): | 260 | 极性/信道类型: | N-CHANNEL |
功耗环境最大值: | 55 W | 最大功率耗散 (Abs): | 55 W |
最大脉冲漏极电流 (IDM): | 54 A | 认证状态: | Not Qualified |
子类别: | FET General Purpose Power | 表面贴装: | YES |
端子面层: | Tin (Sn) | 端子形式: | GULL WING |
端子位置: | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间: | 40 |
晶体管应用: | SWITCHING | 晶体管元件材料: | SILICON |
最大关闭时间(toff): | 120 ns | 最大开启时间(吨): | 180 ns |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
NTD3055L104-1G | ONSEMI |
类似代替 |
Power MOSFET | |
NTD3055L104G | ONSEMI |
类似代替 |
Power MOSFET | |
NTD3055L104T4G | ONSEMI |
类似代替 |
Power MOSFET |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
NTD18N06T4 | ROCHESTER |
获取价格 |
18A, 60V, 0.06ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, CASE 369C-01, DPAK-3 | |
NTD18N06T4G | ROCHESTER |
获取价格 |
18A, 60V, 0.06ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, LEAD FREE, CASE 369C-01, DPAK-3 | |
NTD18N06T4G | ONSEMI |
获取价格 |
功率 MOSFET,60V,18A,60mΩ,单 N 沟道,DPAK | |
NTD20 | EDI |
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HIGH VOLTAGE-HIGH CURRENT SILICON RECTIFIERS | |
NTD20N03L27 | ONSEMI |
获取价格 |
Power MOSFET | |
NTD20N03L27/D | ETC |
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Power MOSFET 20 Amps, 30 Volts | |
NTD20N03L271 | ONSEMI |
获取价格 |
TRANSISTOR 20 A, 30 V, 0.031 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, CASE 369D-01, DPAK-3, FET | |
NTD20N03L27-1 | ONSEMI |
获取价格 |
Power MOSFET | |
NTD20N03L27-1G | ONSEMI |
获取价格 |
Power MOSFET | |
NTD20N03L27G | ONSEMI |
获取价格 |
Power MOSFET |