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Datasheet > 暂无类别数据> NTD3055L104-1G
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NTD3055L104-1G

更新时间： 2024-11-18 03:45:51
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI /
页数 文件大小 规格书
8页 77K
描述
Power MOSFET

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NTD3055L104-1G 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：Active
包装说明：IN-LINE, R-PSIP-T3针数：4
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.95Factory Lead Time：12 weeks
风险等级：0.9雪崩能效等级（Eas）：61 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：60 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：12 A
最大漏极电流 (ID)：12 A最大漏源导通电阻：0.104 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PSIP-T3
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：175 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：IN-LINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：48 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：45 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：NO
端子面层：Tin (Sn)端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

NTD3055L104-1G 数据手册

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NTD3055L104  
Power MOSFET  
12 Amps, 60 Volts, Logic Level  
N−Channel DPAK  
Designed for low voltage, high speed switching applications in  
power supplies, converters and power motor controls and bridge  
circuits.  
http://onsemi.com  
Features  
V
R
TYP  
I MAX  
D
(BR)DSS  
DS(on)  
• Pb−Free Packages are Available  
• Lower R  
60 V  
104 mW  
12 A  
DS(on)  
• Lower V  
• Tighter V Specification  
• Lower Diode Reverse Recovery Time  
• Lower Reverse Recovery Stored Charge  
DS(on)  
N−Channel  
SD  
D
Typical Applications  
• Power Supplies  
• Converters  
• Power Motor Controls  
• Bridge Circuits  
G
S
MARKING  
DIAGRAMS  
MAXIMUM RATINGS (T = 25°C unless otherwise noted)  
J
Rating  
Symbol Value  
Unit  
Vdc  
Vdc  
Vdc  
4
Drain−to−Source Voltage  
V
60  
60  
Drain  
DSS  
Drain−to−Gate Voltage (R = 10 MW)  
V
DGR  
GS  
4
DPAK  
CASE 369C  
STYLE 2  
Gate−to−Source Voltage, Continuous  
V
V
"15  
"20  
GS  
GS  
− Non−Repetitive (t v10 ms)  
p
2
1
Drain Current  
3
− Continuous @ T = 25°C  
I
12  
10  
45  
Adc  
Apk  
A
D
2
− Continuous @ T = 100°C  
I
D
1
3
A
Drain  
− Single Pulse (t v10 ms)  
I
DM  
Gate  
p
Source  
Total Power Dissipation @ T = 25°C  
Derate above 25°C  
P
48  
0.32  
2.1  
W
W/°C  
W
A
D
4
Drain  
Total Power Dissipation @ T = 25°C (Note 1)  
A
4
Total Power Dissipation @ T = 25°C (Note 2)  
1.5  
W
A
DPAK−3  
CASE 369D  
STYLE 2  
Operating and Storage Temperature Range  
Single Pulse Drain−to−Source Avalanche  
T , T  
J
−55 to  
+175  
°C  
stg  
E
AS  
61  
mJ  
1
Energy − Starting T = 25°C  
J
2
3
(V = 25 Vdc, V = 5.0 Vdc, L = 1.0 mH  
DD  
GS  
I
= 11 A, V = 60 Vdc)  
DS  
L(pk)  
1
2
3
Thermal Resistance, − Junction−to−Case  
− Junction−to−Ambient (Note 1)  
− Junction−to−Ambient (Note 2)  
R
R
R
3.13  
71.4  
100  
°C/W  
°C  
Gate Drain Source  
q
JC  
JA  
JA  
q
q
55L104  
A
Y
= Device Code  
= Assembly Location  
= Year  
Maximum Lead Temperature for Soldering  
Purposes, 1/8″ from case for 10 seconds  
T
260  
L
W
= Work Week  
Maximum ratings are those values beyond which device damage can occur.  
Maximum ratings applied to the device are individual stress limit values (not  
normal operating conditions) and are not valid simultaneously. If these limits  
are exceeded, device functional operation is not implied, damage may occur  
and reliability may be affected.  
ORDERING INFORMATION  
See detailed ordering and shipping information in the package  
dimensions section on page 2 of this data sheet.  
1. When surface mounted to an FR4 board using 1″ pad size,  
2
(Cu Area 1.127 in ).  
2. When surface mounted to an FR4 board using the minimum recommended  
2
pad size, (Cu Area 0.412 in ).  
Semiconductor Components Industries, LLC, 2004  
1
Publication Order Number:  
August, 2004 − Rev. 4  
NTD3055L104/D  
 
12345678

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NTD3055L104-1G 替代型号

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