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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> NTD32N06LG
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NTD32N06LG

更新时间： 2024-02-09 04:12:56
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 晶体晶体管开关脉冲
页数 文件大小 规格书
7页 103K
描述
Power MOSFET 32 Amps, 60 Volts

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NTD32N06LG 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
包装说明：LEAD FREE, CASE 369C-01, DPAK-3针数：3
Reach Compliance Code：not_compliantHTS代码：8541.29.00.95
风险等级：5.13其他特性：LOGIC LEVEL COMPATIBLE
雪崩能效等级（Eas）：313 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：60 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：32 A最大漏极电流 (ID)：32 A
最大漏源导通电阻：0.028 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PSSO-G2JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：2工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：175 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：93.75 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：90 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：YES端子面层：Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：40晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

NTD32N06LG 数据手册

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NTD32N06L  
Power MOSFET  
32 Amps, 60 Volts  
Logic Level, N-Channel DPAK  
Designed for low voltage, high speed switching applications in  
power supplies, converters and power motor controls and bridge  
circuits.  
http://onsemi.com  
V
DSS  
R
TYP  
I MAX  
D
DS(ON)  
Features  
•ꢀSmaller Package than MTB30N06VL  
60 V  
23.7 mW  
32 A  
•ꢀLower R  
, V  
, and Total Gate Charge  
DS(on)  
DS(on)  
•ꢀLower and Tighter V  
N-Channel  
SD  
D
•ꢀLower Diode Reverse Recovery Time  
•ꢀLower Reverse Recovery Stored Charge  
•ꢀPb-Free Packages are Available  
Typical Applications  
•ꢀPower Supplies  
•ꢀConverters  
G
S
•ꢀPower Motor Controls  
•ꢀBridge Circuits  
MARKING DIAGRAMS  
& PIN ASSIGNMENTS  
MAXIMUM RATINGS (T = 25°C unless otherwise noted)  
J
4
Drain  
Rating  
Symbol Value  
Unit  
Drain-to-Source Voltage  
V
V
60  
60  
Vdc  
Vdc  
Vdc  
DSS  
Drain-to-Gate Voltage (R = 10 MW)  
GS  
DGR  
4
DPAK  
Gate-to-Source Voltage  
- Continuous  
V
V
"20  
"30  
CASE 369C  
(Surface Mount)  
STYLE 2  
GS  
GS  
- Non-Repetitive (t v10 ms)  
p
2
1
Drain Current - Continuous @ T = 25°C  
I
32  
22  
90  
Adc  
Apk  
3
A
D
- Continuous @ T = 100°C  
I
D
A
2
Drain  
I
DM  
1
Gate  
- Single Pulse (t v10 ms)  
3
Source  
p
Total Power Dissipation @ T = 25°C  
P
D
93.75  
0.625  
2.88  
1.5  
W
W/°C  
W
A
Derate above 25°C  
Total Power Dissipation @ T = 25°C (Note 1)  
Total Power Dissipation @ T = 25°C (Note 2)  
A
4
Drain  
W
A
Operating and Storage Temperature Range  
T , T  
J
-ꢁ55 to  
+175  
°C  
4
stg  
DPAK  
CASE 369D  
(Straight Lead)  
STYLE 2  
Single Pulse Drain-to-Source Avalanche  
Energy - Starting T = 25°C (Note 3)  
E
313  
mJ  
AS  
J
(V = 50 Vdc, V = 5 Vdc, L = 1.0 mH,  
DD  
GS  
1
I
= 25 A, V = 60 Vdc, R = 25 W)  
DS G  
L(pk)  
2
3
Thermal Resistance  
Junction-to-Case  
°C/W  
°C  
-
R
R
R
1.6  
52  
100  
q
JC  
JA  
JA  
- Junction-to-Ambient (Note 1)  
- Junction-to-Ambient (Note 2)  
1
2
3
Gate Drain Source  
q
q
Maximum Lead Temperature for Soldering  
Purposes, 1/8 in from case for 10 seconds  
T
260  
L
Y
WW  
= Year  
= Work Week  
Stresses exceeding Maximum Ratings may damage the device. Maximum  
Ratings are stress ratings only. Functional operation above the Recommended  
Operating Conditions is not implied. Extended exposure to stresses above the  
Recommended Operating Conditions may affect device reliability.  
32N06L  
G
= Device Code  
= Pb-Free Package  
1. When surface mounted to FR4 board using 0.5 in pad size.  
2. When surface mounted to FR4 board using minimum recommended pad size.  
3. Repetitive rating; pulse width limited by maximum junction temperature.  
ORDERING INFORMATION  
See detailed ordering and shipping information in the package  
dimensions section on page 2 of this data sheet.  
©ꢀ Semiconductor Components Industries, LLC, 2007  
June, 2007 - Rev. 5  
1
Publication Order Number:  
NTD32N06L/D  
 
1234567

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