5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> NTD32N06T4
NTD32N06T4 PDF预览

NTD32N06T4

更新时间： 2024-11-18 03:45:51
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
页数 文件大小 规格书
8页 72K
描述
32 Amps, 60 Volts, N−Channel DPAK

阅读下载

中文翻译

获取价格

NTD32N06T4 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
包装说明：CASE 369C-01, DPAK-3针数：3
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.95风险等级：5.13
雪崩能效等级（Eas）：313 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：60 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：32 A最大漏极电流 (ID)：32 A
最大漏源导通电阻：0.026 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PSSO-G2JESD-609代码：e0
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：2工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：175 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：235极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：93.75 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：90 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Powers
表面贴装：YES端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

NTD32N06T4 数据手册

 浏览型号NTD32N06T4的Datasheet PDF文件第2页浏览型号NTD32N06T4的Datasheet PDF文件第3页浏览型号NTD32N06T4的Datasheet PDF文件第4页浏览型号NTD32N06T4的Datasheet PDF文件第5页浏览型号NTD32N06T4的Datasheet PDF文件第6页浏览型号NTD32N06T4的Datasheet PDF文件第7页 
NTD32N06  
Power MOSFET  
32 Amps, 60 Volts, N−Channel DPAK  
Designed for low voltage, high speed switching applications in  
power supplies, converters and power motor controls and bridge  
circuits.  
http://onsemi.com  
Features  
• Pb−Free Packages are Available  
• Smaller Package than MTB36N06V  
V
R
TYP  
I MAX  
D
(BR)DSS  
DS(on)  
60 V  
26 mW  
32 A  
• Lower R  
DS(on)  
• Lower V  
• Lower Total Gate Charge  
• Lower and Tighter V  
DS(on)  
N−Channel  
D
SD  
• Lower Diode Reverse Recovery Time  
• Lower Reverse Recovery Stored Charge  
Typical Applications  
G
• Power Supplies  
• Converters  
• Power Motor Controls  
• Bridge Circuits  
S
MARKING  
DIAGRAMS  
MAXIMUM RATINGS (T = 25°C unless otherwise noted)  
J
Rating  
Symbol  
Value  
60  
Unit  
Vdc  
Vdc  
Vdc  
4
Drain  
Drain−to−Source Voltage  
V
DSS  
DGR  
Drain−to−Gate Voltage (R = 10 MW)  
V
60  
GS  
4
DPAK  
CASE 369C  
STYLE 2  
Gate−to−Source Voltage, Continuous  
V
V
"20  
"30  
GS  
GS  
− Non−Repetitive (t v10 ms)  
p
2
1
Drain Current  
− Continuous @ T = 25°C  
3
I
D
32  
22  
90  
Adc  
Apk  
A
2
− Continuous @ T = 100°C  
I
D
A
1
Gate  
3
Drain  
− Single Pulse (t v10 ms)  
I
DM  
p
Source  
Total Power Dissipation @ T = 25°C  
Derate above 25°C  
P
D
93.75  
0.625  
2.88  
1.5  
W
W/°C  
W
A
4
Total Power Dissipation @ T = 25°C (Note 1)  
Drain  
A
Total Power Dissipation @ T = 25°C (Note 2)  
W
A
4
DPAK−3  
CASE 369D  
STYLE 2  
Operating and Storage Temperature Range  
T , T  
−55 to  
+175  
°C  
J
stg  
Single Pulse Drain−to−Source Avalanche  
E
AS  
313  
mJ  
Energy − Starting T = 25°C (Note 3)  
J
1
(V = 50 Vdc, V = 10 Vdc, L = 1.0 mH,  
DD  
GS  
2
3
I
= 25 A, V = 60 Vdc, R = 25 W)  
DS G  
L(pk)  
Thermal Resistance − Junction−to−Case  
− Junction−to−Ambient (Note 1)  
− Junction−to−Ambient (Note 2)  
R
R
R
1.6  
52  
100  
°C/W  
°C  
1
2
3
q
JC  
JA  
JA  
Gate Drain Source  
q
q
Maximum Lead Temperature for Soldering  
Purposes, 1/8″ from case for 10 seconds  
T
260  
32N06  
A
Y
= Device Code  
= Assembly Location  
= Year  
L
Maximum ratings are those values beyond which device damage can occur.  
Maximum ratings applied to the device are individual stress limit values (not  
normal operating conditions) and are not valid simultaneously. If these limits  
are exceeded, device functional operation is not implied, damage may occur  
and reliability may be affected.  
WW  
= Work Week  
ORDERING INFORMATION  
See detailed ordering and shipping information in the package  
dimensions section on page 6 of this data sheet.  
1. When surface mounted to an FR4 board using 1″ pad size,  
2
(Cu Area 1.127 in ).  
2. When surface mounted to an FR4 board using minimum recommended pad  
2
size, (Cu Area 0.412 in ).  
3. Repetitive rating; pulse width limited by maximum junction temperature.  
Semiconductor Components Industries, LLC, 2004  
1
Publication Order Number:  
August, 2004 − Rev. 3  
NTD32N06/D  
 
12345678

中文翻译

下载PDF

NTD32N06T4 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
FDD5690 ONSEMI

功能相似

 N 沟道，PowerTrench® MOSFET，60V，30A，27mΩ
NTD32N06G ONSEMI

功能相似

 32 Amps, 60 Volts, N−Channel DPAK
FDD5690 FAIRCHILD

功能相似

 60V N-Channel PowerTrench⑩ MOSFET

与NTD32N06T4相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
NTD32N06T4G ONSEMI

获取价格

 		32 Amps, 60 Volts, N−Channel DPAK
NTD35 EDI

获取价格

 		HIGH VOLTAGE-HIGH CURRENT SILICON RECTIFIERS
NTD360N65S3H ONSEMI

获取价格

 		Power MOSFET, N-Channel, SUPERFET® III, FAST,
NTD360N80S3Z ONSEMI

获取价格

 		MOSFET – Power, N-Channel, SUPERFET® III, 800
NTD3808N ONSEMI

获取价格

 		Power MOSFET 16 V, 76 A, Single N-Channel, DPAK/IPAK
NTD3808N-1G ONSEMI

获取价格

 		Power MOSFET 16 V, 76 A, Single N-Channel, DPAK/IPAK
NTD3808N-35G ONSEMI

获取价格

 		Power MOSFET 16 V, 76 A, Single N-Channel, DPAK/IPAK
NTD3808NT4G ONSEMI

获取价格

 		Power MOSFET 16 V, 76 A, Single N-Channel, DPAK/IPAK
NTD3813N ONSEMI

获取价格

 		Power MOSFET 16 V, 51 A, Single N-Channel, DPAK/IPAK
NTD3813N-1G ONSEMI

获取价格

 		Power MOSFET 16 V, 51 A, Single N-Channel, DPAK/IPAK

与NTD32N06T4相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证