5秒后页面跳转
| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Transferred | 零件包装代码： | DPAK |
| 包装说明： | TO-252, 3 PIN | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | not_compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.29.00.95 | 风险等级： | 5.2 |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 90 mJ | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 60 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 30 A | 最大漏极电流 (ID)： | 30 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.027 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-252 | JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 |
| JESD-609代码： | e3 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 50 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 100 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | Matte Tin (Sn) | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| HUF76423D3S | FAIRCHILD |
类似代替  |
20A, 60V, 0.037 Ohm, N-Channel, Logic Level UltraFET Power MOSFETFairchild |
|
| NTD5413NT4G | ONSEMI |
功能相似 |
Power MOSFET 30 Amps, 60 Volts Single N−Channel DPAK |
|
| NTD32N06G | ONSEMI |
功能相似 |
32 Amps, 60 Volts, N−Channel DPAK |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| FDD5690_02 | FAIRCHILD |
获取价格 |
60V N-Channel PowerTrench㈢ MOSFET |
|
| FDD5690_NL | FAIRCHILD |
获取价格 |
暂无描述 |
|
| FDD5810 | FAIRCHILD |
获取价格 |
N-Channel Logic Level Trench㈢ MOSFET |
|
| FDD5810 | UMW |
获取价格 |
种类:N-Channel;漏源电压（Vdss）:60V;持续漏极电流（Id）（在25°C时 |
|
| FDD5810_07 | FAIRCHILD |
获取价格 |
N-Channel Logic Level Trench㈢ MOSFET |
|
| FDD5810_10 | FAIRCHILD |
获取价格 |
N-Channel Logic Level Trench® MOSFET 60V, 36 |
|
| FDD5810_F085 | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 7.4A I(D), 60V, 0.022ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
|
| FDD5810-F085 | FAIRCHILD |
获取价格 |
N-Channel Logic Level Trench MOSFET 60V, 36A, 27mOhm |
|
| FDD5810-F085 | ONSEMI |
获取价格 |
60 V、37 A、18 mΩ、DPAK、逻辑电平N 沟道 PowerTrench® |
|
| FDD5N50 | FAIRCHILD |
获取价格 |
N-Channel MOSFET 500V, 4A, 1.4ヘ |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
替代型号
如果您发现信息不准确，
