5秒后页面跳转
| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Transferred | 零件包装代码： | DPAK |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | not_compliant |
| 风险等级： | 5.71 | 配置： | Single |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 3.5 A | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-609代码： | e3 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 40 W |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | Matte Tin (Sn) | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| FDD5N50FTM-WS | ONSEMI |
获取价格 |
N 沟道 UniFETTM FRFET® MOSFET |
|
| FDD5N50NZ | ONSEMI |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 500V, 1.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
|
| FDD5N50NZF | FAIRCHILD |
获取价格 |
N-Channel MOSFET 500V, 3.7A, 1.75Ω |
|
| FDD5N50NZFTM | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 3.7A I(D), 500V, 1.75ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
|
| FDD5N50NZFTM | ONSEMI |
获取价格 |
功率 MOSFET，N 沟道，UniFETTM，FRFET®，500 V，3.7 A，1. |
|
| FDD5N50NZTM | FAIRCHILD |
获取价格 |
N-Channel MOSFET 500V, 4A, 1.5ï |
|
| FDD5N50NZTM | ONSEMI |
获取价格 |
功率 MOSFET，N 沟道，UniFETTM II，500 V，4 A，1.5 Ω，DP |
|
| FDD5N50TM | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 500V, 1.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
|
| FDD5N50TM-WS | ONSEMI |
获取价格 |
功率 MOSFET，N 沟道，UniFETTM，500 V，4 A，1.4 Ω，DPAK |
|
| FDD5N50U | FAIRCHILD |
获取价格 |
N-Channel MOSFET, FRFET 500V, 3A, 2.0ヘ |
|
摩尔斯微电子在美国约书亚树国家公园测试 Wi-Fi HaLow
贸泽上架Tallysman TW5386智能GNSS天线
SL74HC10N：高性能三输入与非门解析
AIC1781A 电池充电控制器深度解析
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
