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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Transferred | 零件包装代码： | DPAK |
| 包装说明： | ROHS COMPLIANT, DPAK-3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | not_compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.29.00.95 | 风险等级： | 3.9 |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 165 mJ | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 500 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 3.7 A | 最大漏极电流 (ID)： | 3.7 A |
| 最大漏源导通电阻： | 1.75 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-252 | JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 |
| JESD-609代码： | e3 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 62.5 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 14 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | Matte Tin (Sn) | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| FDD5N50NZTM | FAIRCHILD |
获取价格 |
N-Channel MOSFET 500V, 4A, 1.5ï |
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| FDD5N50NZTM | ONSEMI |
获取价格 |
功率 MOSFET，N 沟道，UniFETTM II，500 V，4 A，1.5 Ω，DP |
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| FDD5N50TM | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 500V, 1.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
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| FDD5N50TM-WS | ONSEMI |
获取价格 |
功率 MOSFET，N 沟道，UniFETTM，500 V，4 A，1.4 Ω，DPAK |
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| FDD5N50U | FAIRCHILD |
获取价格 |
N-Channel MOSFET, FRFET 500V, 3A, 2.0ヘ |
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| FDD5N50UTM-WS | ONSEMI |
获取价格 |
UniFETTM Ultra FRFETTM MOSFET，N 沟道，500 V，3 A， |
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| FDD5N53 | FAIRCHILD |
获取价格 |
N-Channel MOSFET 530V, 4A, 1.5Ω |
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| FDD5N53TF | FAIRCHILD |
获取价格 |
N-Channel MOSFET 530V, 4A, 1.5Ω |
|
| FDD5N53TM | FAIRCHILD |
获取价格 |
N-Channel MOSFET 530V, 4A, 1.5Ω |
|
| FDD5N60NZ | FAIRCHILD |
获取价格 |
N-Channel UniFET II MOSFET 600 V, 4.0 A, 2 Ohm |
|
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