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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> FDD6030L
FDD6030L PDF预览

FDD6030L

更新时间： 2024-11-19 22:40:51
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 晶体晶体管场效应晶体管开关脉冲
页数 文件大小 规格书
6页 170K
描述
N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor

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FDD6030L 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Transferred零件包装代码：DPAK
包装说明：DPAK-3针数：3
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.95风险等级：5.33
雪崩能效等级（Eas）：100 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：30 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：50 A最大漏极电流 (ID)：50 A
最大漏源导通电阻：0.0145 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-252JESD-30 代码：R-PSSO-G2
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：2
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：175 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：60 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：100 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

FDD6030L 数据手册

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July 1999  
ADVANCE INFORMATION  
FDD6030L  
N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor  
Features  
General Description  
These N-Channel logic level enhancement mode power  
field effect transistors are produced using Fairchild’s  
proprietary, high cell density, DMOS technology. This  
very high density process is especially tailored to  
minimize on-state resistance. These devices are  
particularly suited for low voltage applications such as  
DC/DC converters and high efficiency switching circuits  
where fast switching, low in-line power loss, and  
resistance to transients are needed.  
• 50 A, 30 V. RDS(ON) = 0.0135 Ω @ VGS = 10 V  
RDS(ON) = 0.0200 Ω @ VGS = 4.5 V.  
• Low gate charge.  
• Fast switching speed.  
• Low Crss.  
D
D
G
G
S
TO-252  
S
TC=25oC unless otherwise noted  
Absolute Maximum Ratings  
Symbol  
VDSS  
Parameter  
Drain-Source Voltage  
Ratings  
Units  
V
30  
VGSS  
ID  
Gate-Source Voltage  
20  
V
A
±
(Note 1)  
Maximum Drain Current -Continuous  
50  
(Note 1a)  
12  
150  
Maximum Drain Current -Pulsed  
Maximum Power Dissipation @ TC = 25oC  
TA = 25oC  
(Note 1)  
PD  
60  
W
(Note 1a)  
(Note 1b)  
3.2  
TA = 25oC  
1.3  
TJ, Tstg  
Operating and Storage Junction Temperature Range  
-55 to +150  
C
°
Thermal Characteristics  
(Note 1)  
R
Thermal Resistance, Junction-to- Case  
2.1  
39  
96  
C/W  
C/W  
C/W  
θJC  
°
°
°
(Note 1a)  
R
Thermal Resistance, Junction-to- Ambient  
θJA  
(Note 1b)  
Package Marking and Ordering Information  
Device Marking  
Device  
Reel Size  
Tape width  
16mm  
Quantity  
FDD6030L  
FDD6030L  
13’’  
2500  
FDD6030LRev. A1  
1999 Fairchild Semiconductor Corporation  
123456

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FDD6030L 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
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