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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> FDD6030L_NL
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FDD6030L_NL

更新时间： 2024-11-18 13:07:47
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD /
页数 文件大小 规格书
5页 110K
描述
Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 30V, 0.0145ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252, DPAK-3

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FDD6030L_NL 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TO-252包装说明：DPAK-3
针数：3Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.33
雪崩能效等级（Eas）：100 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：30 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：50 A最大漏极电流 (ID)：50 A
最大漏源导通电阻：0.0145 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-252JESD-30 代码：R-PSSO-G2
JESD-609代码：e3元件数量：1
端子数量：2工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：60 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：100 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：YES端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

FDD6030L_NL 数据手册

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April 1999  
ADVANCE INFORMATION  
FDD6030BL  
N-Channel PowerTrenchTM MOSFET  
General Description  
Features  
This N-Channel Logic level MOSFET is produced using  
Fairchild Semiconductor's advanced PowerTrench process  
that has been especially tailored to minimize the on-  
state resistance and yet maintain low gate charge for  
superior switching performance.  
• 35 A, 30 V. RDS(ON) = 0.018 Ω @ VGS = 10 V  
RDS(ON) = 0.025 Ω @ VGS = 4.5 V.  
• Low gate charge.  
• Fast switching speed.  
Applications  
• High performance trench technology for extremely  
low RDS(ON)  
.
• DC/DC converter  
• Motor drives  
D
D
G
G
S
S
TO-252  
TC=25oC unless otherwise noted  
Absolute Maximum Ratings  
Symbol  
VDSS  
Parameter  
Drain-Source Voltage  
Ratings  
Units  
V
30  
VGSS  
ID  
Gate-Source Voltage  
20  
V
A
±
(Note 1)  
Maximum Drain Current -Continuous  
35  
(Note 1a)  
9
100  
Maximum Drain Current -Pulsed  
Maximum Power Dissipation @ TC = 25oC  
TA = 25oC  
(Note 1)  
(Note 1a)  
(Note 1b)  
PD  
44  
W
2.8  
TA = 25oC  
1.3  
TJ, Tstg  
Operating and Storage Junction Temperature Range  
-55 to +150  
C
°
Thermal Characteristics  
θ
(Note 1)  
R
Thermal Resistance, Junction-to- Case  
2.8  
96  
C/W  
C/W  
JC  
°
°
(Note 1b)  
R
Thermal Resistance, Junction-to- Ambient  
JA  
θ
Package Marking and Ordering Information  
Device Marking  
Device  
Reel Size  
Tape width  
Quantity  
FDD6030BL  
FDD6030BL  
13’’  
16mm  
2500  
FDD6030BL Rev. A  
1999 Fairchild Semiconductor Corporation  
12345

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