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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Transferred | 零件包装代码： | TO-252AA |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | 风险等级： | 5.72 |
| Is Samacsys： | N | 雪崩能效等级（Eas）： | 256 mJ |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 530 V | 最大漏极电流 (ID)： | 4 A |
| 最大漏源导通电阻： | 1.5 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-252AA | JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 16 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| FDD5N53TM | FAIRCHILD |
获取价格 |
N-Channel MOSFET 530V, 4A, 1.5Ω |
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| FDD5N60NZ | FAIRCHILD |
获取价格 |
N-Channel UniFET II MOSFET 600 V, 4.0 A, 2 Ohm |
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| FDD5N60NZTM | FAIRCHILD |
获取价格 |
N-Channel UniFET II MOSFET 600 V, 4.0 A, 2 Ohm |
|
| FDD5N60NZTM | ONSEMI |
获取价格 |
功率 MOSFET，N 沟道，UniFETTM II，600V，4A，2Ω，DPAK |
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| FDD6030 | FAIRCHILD |
获取价格 |
N-Channel PowerTrenchTM MOSFET |
|
| FDD6030BL | FAIRCHILD |
获取价格 |
30V N-Channel PowerTrench MOSFET |
|
| FDD6030BL_NL | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET |
|
| FDD6030L | FAIRCHILD |
获取价格 |
N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor |
|
| FDD6030L | ONSEMI |
获取价格 |
N 沟道，PowerTrench® MOSFET，30V，12A，14.5mΩ |
|
| FDD6030L_03 | FAIRCHILD |
获取价格 |
30V N-Channel PowerTrench MOSFET |
|
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