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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.29.00.95 |
| 风险等级： | 5.67 | 雪崩能效等级（Eas）： | 304 mJ |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 500 V | 最大漏极电流 (ID)： | 4 A |
| 最大漏源导通电阻： | 1.5 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-252AA | JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 16 A |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| FDD5N50NZF | FAIRCHILD |
获取价格 |
N-Channel MOSFET 500V, 3.7A, 1.75Ω |
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| FDD5N50NZFTM | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 3.7A I(D), 500V, 1.75ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| FDD5N50NZFTM | ONSEMI |
获取价格 |
功率 MOSFET，N 沟道，UniFETTM，FRFET®，500 V，3.7 A，1. |
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| FDD5N50NZTM | FAIRCHILD |
获取价格 |
N-Channel MOSFET 500V, 4A, 1.5ï |
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| FDD5N50NZTM | ONSEMI |
获取价格 |
功率 MOSFET，N 沟道，UniFETTM II，500 V，4 A，1.5 Ω，DP |
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| FDD5N50TM | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 500V, 1.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
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| FDD5N50TM-WS | ONSEMI |
获取价格 |
功率 MOSFET，N 沟道，UniFETTM，500 V，4 A，1.4 Ω，DPAK |
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| FDD5N50U | FAIRCHILD |
获取价格 |
N-Channel MOSFET, FRFET 500V, 3A, 2.0ヘ |
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| FDD5N50UTM-WS | ONSEMI |
获取价格 |
UniFETTM Ultra FRFETTM MOSFET，N 沟道，500 V，3 A， |
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| FDD5N53 | FAIRCHILD |
获取价格 |
N-Channel MOSFET 530V, 4A, 1.5Ω |
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