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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> HUF76423D3S
HUF76423D3S PDF预览

HUF76423D3S

更新时间： 2024-11-23 22:48:27
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 晶体晶体管功率场效应晶体管开关
页数 文件大小 规格书
10页 200K
描述
20A, 60V, 0.037 Ohm, N-Channel, Logic Level UltraFET Power MOSFETFairchild

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HUF76423D3S 技术参数

是否Rohs认证：符合生命周期：Obsolete
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.14
Is Samacsys：N外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：60 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：20 A最大漏极电流 (ID)：20 A
最大漏源导通电阻：0.04 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-252AAJESD-30 代码：R-PSSO-G2
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：2
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：175 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：85 W
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：YES端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

HUF76423D3S 数据手册

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HUF76423D3, HUF76423D3S  
Data Sheet  
December 2001  
20A, 60V, 0.037 Ohm, N-Channel, Logic  
Level UltraFET® Power MOSFETFairchild  
Packaging  
Features  
JEDEC TO-251AA  
JEDEC TO-252AA  
• Ultra Low On-Resistance  
- r  
- r  
= 0.032Ω, VGS = 10V  
= 0.037Ω, VGS = 5V  
DS(ON)  
DS(ON)  
DRAIN  
(FLANGE)  
DRAIN  
(FLANGE)  
SOURCE  
DRAIN  
GATE  
• Simulation Models  
- Temperature Compensated PSPICE® and SABER™  
Electrical Models  
GATE  
SOURCE  
- Spice and SABER Thermal Impedance Models  
- www.fairchildsemi.com  
HUF76423D3S  
HUF76423D3  
• Peak Current vs Pulse Width Curve  
• UIS Rating Curve  
• Switching Time vs R  
Curves  
Symbol  
GS  
Ordering Information  
D
S
PART NUMBER  
HUF76423D3  
PACKAGE  
BRAND  
76423D  
76423D  
TO-251AA  
TO-252AA  
G
HUF76423D3S  
NOTE: When ordering, use the entire part number. Add the suffix T  
to obtain the variant in tape and reel, e.g., HUF76423D3ST.  
o
Absolute Maximum Ratings  
T = 25 C, Unless Otherwise Specified  
C
HUF76423D3,  
HUF76423D3S  
UNITS  
Drain to Source Voltage (Note 1). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . V  
60  
60  
V
V
V
DSS  
DGR  
Drain to Gate Voltage (R  
GS  
= 20kΩ) (Note 1) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . V  
Gate to Source Voltage . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . V  
±16  
GS  
Drain Current  
o
Continuous (T = 25 C, V  
= 5V) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . I  
= 10V) (Figure 2) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . I  
20  
20  
20  
A
A
A
A
C
GS  
GS  
D
D
o
Continuous (T = 25 C, V  
C
o
Continuous (T = 100 C, V  
= 5V) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . I  
= 4.5V) (Figure 2) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . I  
C
GS  
GS  
D
o
Continuous (T = 100 C, V  
20  
C
D
Pulsed Drain Current . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . I  
Figure 4  
DM  
Pulsed Avalanche Rating . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . UIS  
Power Dissipation . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . P  
Derate Above 25 C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .  
Figures 6, 17, 18  
85  
0.567  
W
W/ C  
D
o
o
o
Operating and StorageTemperature . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . T , T  
J
-55 to 175  
C
STG  
Maximum Temperature for Soldering  
Leads at 0.063in (1.6mm) from Case for 10s. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . T  
Package Body for 10s, See Techbrief TB334. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . T  
o
300  
260  
C
C
L
o
pkg  
NOTES:  
1. T = 25 C to 150 C.  
o
o
J
CAUTION: Stresses above those listed in “Absolute Maximum Ratings” may cause permanent damage to the device. This is a stress only rating and operation of the  
device at these or any other conditions above those indicated in the operational sections of this specification is not implied.  
Product reliability information can be found at http://www.fairchildsemi.com/products/discrete/reliability/index.html  
For severe environments, see our Automotive HUFA series.  
All Fairchild semiconductor products are manufactured, assembled and tested under ISO9000 and QS9000 quality systems certification.  
©2001 Fairchild Semiconductor Corporation  
HUF76423D3, HUF76423D3S Rev. B  
1234567...10

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HUF76423D3S 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
FDD5690 FAIRCHILD

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