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HUF76429D3_05

更新时间： 2024-11-24 04:44:03
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD /
页数 文件大小 规格书
10页 283K
描述
20A, 60V, 0.027 Ohm, N-Channel, Logic Level UltraFET㈢ Power MOSFET

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HUF76429D3_05 数据手册

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HUF76429D3, HUF76429D3S  
Data Sheet  
February 2005  
20A, 60V, 0.027 Ohm, N-Channel, Logic  
Level UltraFET® Power MOSFET  
Packaging  
JEDEC TO-251AA  
JEDEC TO-252AA  
Features  
• Ultra Low On-Resistance  
DRAIN  
(FLANGE)  
- r  
- r  
= 0.023Ω, V = 10V  
GS  
SOURCE  
DRAIN  
GATE  
DS(ON)  
DS(ON)  
= 0.027Ω, V = 5V  
GS  
• Simulation Models  
- Temperature Compensated PSPICE® and SABER™  
Electrical Models  
GATE  
SOURCE  
DRAIN  
(FLANGE)  
- Spice and SABER Thermal Impedance Models  
- www.fairchildsemi.com  
HUF76429D3  
HUF76429D3S  
• Peak Current vs Pulse Width Curve  
• UIS Rating Curve  
• Switching Time vs R  
Curves  
Symbol  
GS  
D
S
Ordering Information  
PART NUMBER  
HUF76429D3  
PACKAGE  
BRAND  
76429D  
76429D  
G
TO-251AA  
TO-252AA  
HUF76429D3S  
NOTE: When ordering, use the entire part number. Add the suffix T  
to obtain the variant in tape and reel, e.g., HUF76429D3ST.  
o
Absolute Maximum Ratings  
T = 25 C, Unless Otherwise Specified  
C
HUF76429D3, HUF76429D3S  
UNITS  
Drain to Source Voltage (Note 1). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . V  
60  
60  
V
V
V
DSS  
Drain to Gate Voltage (R  
= 20kΩ) (Note 1) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . V  
GS  
DGR  
Gate to Source Voltage . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . V  
±16  
GS  
Drain Current  
o
Continuous (T = 25 C, V  
C
= 5V) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . I  
= 10V) (Figure 2) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . I  
20  
20  
20  
A
A
A
A
GS  
GS  
D
D
o
Continuous (T = 25 C, V  
C
o
Continuous (T = 100 C, V  
= 5V) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . I  
= 4.5V) (Figure 2) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . I  
C
GS  
D
o
Continuous (T = 100 C, V  
20  
C
GS  
D
Pulsed Drain Current . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .I  
Figure 4  
DM  
Pulsed Avalanche Rating . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .UIS  
Power Dissipation . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . P  
Derate Above 25 C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .  
Figures 6, 17, 18  
110  
0.74  
W
W/ C  
D
o
o
o
Operating and Storage Temperature . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . T , T  
J
-55 to 175  
C
STG  
Maximum Temperature for Soldering  
Leads at 0.063in (1.6mm) from Case for 10s. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .T  
Package Body for 10s, See Techbrief TB334. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . T  
o
300  
260  
C
C
L
o
pkg  
NOTES:  
1. T = 25 C to 150 C.  
o
o
J
CAUTION: Stresses above those listed in “Absolute Maximum Ratings” may cause permanent damage to the device. This is a stress only rating and operation of the  
device at these or any other conditions above those indicated in the operational sections of this specification is not implied.  
Product reliability information can be found at http://www.fairchildsemi.com/products/discrete/reliability/index.html  
For severe environments, see our Automotive HUFA series.  
All Fairchild semiconductor products are manufactured, assembled and tested under ISO9000 and QS9000 quality systems certification.  
©2005 Fairchild Semiconductor Corporation  
HUF76429D3, HUF76429D3S Rev. B1  
1234567...10

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