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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> HUF76429S3S
HUF76429S3S PDF预览

HUF76429S3S

更新时间： 2024-11-23 22:11:23
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD /
页数 文件大小 规格书
10页 208K
描述
44A, 60V, 0.025 Ohm, N-Channel, Logic Level UltraFET Power MOSFET

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HUF76429S3S 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.95风险等级：5.14
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：60 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：44 A
最大漏极电流 (ID)：47 A最大漏源导通电阻：0.025 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-263AB
JESD-30 代码：R-PSSO-G2JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：2工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：175 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：110 W认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

HUF76429S3S 数据手册

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HUF76429P3, HUF76429S3S  
Data Sheet  
December 2001  
44A, 60V, 0.025 Ohm, N-Channel, Logic  
Level UltraFET® Power MOSFET  
Packaging  
Features  
JEDEC TO-220AB  
JEDEC TO-263AB  
• Ultra Low On-Resistance  
DRAIN  
(FLANGE)  
SOURCE  
DRAIN  
GATE  
- r  
- r  
= 0.022Ω, VGS = 10V  
= 0.025Ω, VGS = 5V  
DS(ON)  
DS(ON)  
• Simulation Models  
GATE  
- Temperature Compensated PSPICE® and SABER™  
Electrical Models  
SOURCE  
DRAIN  
(FLANGE)  
- Spice and SABER Thermal Impedance Models  
- www.fairchildsemi.com  
HUF76429P3  
HUF76429S3S  
• Peak Current vs Pulse Width Curve  
• UIS Rating Curve  
Symbol  
• Switching Time vs R  
Curves  
GS  
D
S
Ordering Information  
PART NUMBER  
HUF76429P3  
PACKAGE  
BRAND  
76429P  
76429S  
G
TO-220AB  
TO-263AB  
HUF76429S3S  
NOTE: When ordering, use the entire part number. Add the suffix T  
to obtain the variant in tape and reel, e.g., HUF76429S3ST.  
o
Absolute Maximum Ratings  
T = 25 C, Unless Otherwise Specified  
C
HUF76429P3, HUF76429S3S  
UNITS  
Drain to Source Voltage (Note 1) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . V  
60  
60  
V
V
V
DSS  
Drain to Gate Voltage (R  
= 20kΩ) (Note 1) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . V  
GS  
DGR  
Gate to Source Voltage . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . V  
±16  
GS  
Drain Current  
o
Continuous (T = 25 C, V  
= 5V) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . I  
= 10V) (Figure 2) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . I  
44  
47  
31  
A
A
A
A
C
GS  
GS  
D
D
o
Continuous (T = 25 C, V  
C
o
Continuous (T = 100 C, V  
= 5V) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . I  
= 4.5V) (Figure 2) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . I  
C
GS  
GS  
D
o
Continuous (T = 100 C, V  
30  
C
D
Pulsed Drain Current . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . I  
Figure 4  
DM  
Pulsed Avalanche Rating . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . UIS  
Power Dissipation . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . P  
Derate Above 25 C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .  
Figures 6, 17, 18  
110  
0.74  
W
W/ C  
D
o
o
o
Operating and Storage Temperature . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . T , T  
J
-55 to 175  
C
STG  
Maximum Temperature for Soldering  
Leads at 0.063in (1.6mm) from Case for 10s. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . T  
Package Body for 10s, See Techbrief TB334. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . T  
o
300  
260  
C
C
L
o
pkg  
NOTES:  
1. T = 25 C to 150 C.  
o
o
J
CAUTION: Stresses above those listed in “Absolute Maximum Ratings” may cause permanent damage to the device. This is a stress only rating and operation of the  
device at these or any other conditions above those indicated in the operational sections of this specification is not implied.  
Product reliability information can be found at http://www.fairchildsemi.com/products/discrete/reliability/index.html  
For severe environments, see our Automotive HUFA series.  
All Fairchild semiconductor products are manufactured, assembled and tested under ISO9000 and QS9000 quality systems certification.  
©2001 Fairchild Semiconductor Corporation  
HUF76429P3, HUF76429S3S Rev. B  
1234567...10

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与HUF76429S3S相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
HUF76429S3ST ONSEMI

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 		N 沟道，逻辑电平，UltraFET 功率 MOSFET，60V，44A，25mΩ
HUF76432P3 FAIRCHILD

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 		55A, 60V, 0.019 Ohm, N-Channel, Logic Level UltraFET Power MOSFET
HUF76432P3 INTERSIL

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 		55A, 60V, 0.019 Ohm, N-Channel, Logic Level UltraFET Power MOSFET
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 		TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 56A I(D) | TO-263AB
HUF76437P3 FAIRCHILD

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