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HUF76423D3ST_R4921

更新时间： 2024-11-24 13:30:35
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD /
页数 文件大小 规格书
10页 200K
描述
Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET

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HUF76423D3ST_R4921 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：,
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.84
Is Samacsys：N配置：Single
最大漏极电流 (Abs) (ID)：20 AFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：175 °C
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：85 W
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
Base Number Matches：1

HUF76423D3ST_R4921 数据手册

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HUF76423D3, HUF76423D3S  
Data Sheet  
December 2001  
20A, 60V, 0.037 Ohm, N-Channel, Logic  
Level UltraFET® Power MOSFETFairchild  
Packaging  
Features  
JEDEC TO-251AA  
JEDEC TO-252AA  
• Ultra Low On-Resistance  
- r  
- r  
= 0.032Ω, VGS = 10V  
= 0.037Ω, VGS = 5V  
DS(ON)  
DS(ON)  
DRAIN  
(FLANGE)  
DRAIN  
(FLANGE)  
SOURCE  
DRAIN  
GATE  
• Simulation Models  
- Temperature Compensated PSPICE® and SABER™  
Electrical Models  
GATE  
SOURCE  
- Spice and SABER Thermal Impedance Models  
- www.fairchildsemi.com  
HUF76423D3S  
HUF76423D3  
• Peak Current vs Pulse Width Curve  
• UIS Rating Curve  
• Switching Time vs R  
Curves  
Symbol  
GS  
Ordering Information  
D
S
PART NUMBER  
HUF76423D3  
PACKAGE  
BRAND  
76423D  
76423D  
TO-251AA  
TO-252AA  
G
HUF76423D3S  
NOTE: When ordering, use the entire part number. Add the suffix T  
to obtain the variant in tape and reel, e.g., HUF76423D3ST.  
o
Absolute Maximum Ratings  
T = 25 C, Unless Otherwise Specified  
C
HUF76423D3,  
HUF76423D3S  
UNITS  
Drain to Source Voltage (Note 1). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . V  
60  
60  
V
V
V
DSS  
DGR  
Drain to Gate Voltage (R  
GS  
= 20kΩ) (Note 1) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . V  
Gate to Source Voltage . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . V  
±16  
GS  
Drain Current  
o
Continuous (T = 25 C, V  
= 5V) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . I  
= 10V) (Figure 2) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . I  
20  
20  
20  
A
A
A
A
C
GS  
GS  
D
D
o
Continuous (T = 25 C, V  
C
o
Continuous (T = 100 C, V  
= 5V) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . I  
= 4.5V) (Figure 2) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . I  
C
GS  
GS  
D
o
Continuous (T = 100 C, V  
20  
C
D
Pulsed Drain Current . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . I  
Figure 4  
DM  
Pulsed Avalanche Rating . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . UIS  
Power Dissipation . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . P  
Derate Above 25 C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .  
Figures 6, 17, 18  
85  
0.567  
W
W/ C  
D
o
o
o
Operating and StorageTemperature . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . T , T  
J
-55 to 175  
C
STG  
Maximum Temperature for Soldering  
Leads at 0.063in (1.6mm) from Case for 10s. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . T  
Package Body for 10s, See Techbrief TB334. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . T  
o
300  
260  
C
C
L
o
pkg  
NOTES:  
1. T = 25 C to 150 C.  
o
o
J
CAUTION: Stresses above those listed in “Absolute Maximum Ratings” may cause permanent damage to the device. This is a stress only rating and operation of the  
device at these or any other conditions above those indicated in the operational sections of this specification is not implied.  
Product reliability information can be found at http://www.fairchildsemi.com/products/discrete/reliability/index.html  
For severe environments, see our Automotive HUFA series.  
All Fairchild semiconductor products are manufactured, assembled and tested under ISO9000 and QS9000 quality systems certification.  
©2001 Fairchild Semiconductor Corporation  
HUF76423D3, HUF76423D3S Rev. B  
1234567...10

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