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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> HUF76429D3
HUF76429D3 PDF预览

HUF76429D3

更新时间： 2024-11-26 22:55:19
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD /
页数 文件大小 规格书
10页 200K
描述
20A, 60V, 0.027 Ohm, N-Channel, Logic Level UltraFET Power MOSFET

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HUF76429D3 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TO-251AA包装说明：IN-LINE, R-PSIP-T3
针数：3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.42
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：60 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：20 A
最大漏极电流 (ID)：20 A最大漏源导通电阻：0.029 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-251AA
JESD-30 代码：R-PSIP-T3JESD-609代码：e0
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：175 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：IN-LINE极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：110 W认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：NO
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON

HUF76429D3 数据手册

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HUF76429D3, HUF76429D3S  
Data Sheet  
December 2001  
20A, 60V, 0.027 Ohm, N-Channel, Logic  
Level UltraFET® Power MOSFET  
Packaging  
JEDEC TO-251AA  
JEDEC TO-252AA  
Features  
• Ultra Low On-Resistance  
DRAIN  
(FLANGE)  
- r  
- r  
= 0.023Ω, VGS = 10V  
= 0.027Ω, VGS = 5V  
SOURCE  
DRAIN  
GATE  
DS(ON)  
DS(ON)  
• Simulation Models  
- Temperature Compensated PSPICE® and SABER™  
Electriecal Models  
GATE  
SOURCE  
DRAIN  
(FLANGE)  
- Spice and SABER Thermal Impedance Models  
- www.fairchildsemi.com  
HUF76429D3  
HUF76429D3S  
• Peak Current vs Pulse Width Curve  
• UIS Rating Curve  
• Switching Time vs R  
Curves  
Symbol  
GS  
D
S
Ordering Information  
PART NUMBER  
HUF76429D3  
PACKAGE  
BRAND  
76429D  
76429D  
G
TO-251AA  
TO-252AA  
HUF76429D3S  
NOTE: When ordering, use the entire part number. Add the suffix T  
to obtain the variant in tape and reel, e.g., HUF76429D3ST.  
o
Absolute Maximum Ratings  
T = 25 C, Unless Otherwise Specified  
C
HUF76429D3, HUF76429D3S  
UNITS  
Drain to Source Voltage (Note 1) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . V  
60  
60  
V
V
V
DSS  
Drain to Gate Voltage (R  
= 20kΩ) (Note 1) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . V  
GS  
DGR  
Gate to Source Voltage . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . V  
±16  
GS  
Drain Current  
o
Continuous (T = 25 C, V  
C
= 5V) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . I  
= 10V) (Figure 2) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . I  
20  
20  
20  
A
A
A
A
GS  
GS  
D
D
o
Continuous (T = 25 C, V  
C
o
Continuous (T = 100 C, V  
= 5V) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . I  
= 4.5V) (Figure 2) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . I  
C
GS  
D
o
Continuous (T = 100 C, V  
20  
C
GS  
D
Pulsed Drain Current . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . I  
Figure 4  
DM  
Pulsed Avalanche Rating . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . UIS  
Power Dissipation . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . P  
Derate Above 25 C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .  
Figures 6, 17, 18  
110  
0.74  
W
W/ C  
D
o
o
o
Operating and Storage Temperature . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . T , T  
J
-55 to 175  
C
STG  
Maximum Temperature for Soldering  
Leads at 0.063in (1.6mm) from Case for 10s. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . T  
Package Body for 10s, See Techbrief TB334. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . T  
o
300  
260  
C
C
L
o
pkg  
NOTES:  
1. T = 25 C to 150 C.  
o
o
J
CAUTION: Stresses above those listed in “Absolute Maximum Ratings” may cause permanent damage to the device. This is a stress only rating and operation of the  
device at these or any other conditions above those indicated in the operational sections of this specification is not implied.  
Product reliability information can be found at http://www.fairchildsemi.com/products/discrete/reliability/index.html  
For severe environments, see our Automotive HUFA series.  
All Fairchild semiconductor products are manufactured, assembled and tested under ISO9000 and QS9000 quality systems certification.  
©2001 Fairchild Semiconductor Corporation  
HUF76429D3, HUF76429D3S Rev. B  
1234567...10

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HUF76429D3 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
IRFR1205TRPBF INFINEON

功能相似

 Ultra Low On-Resistance
IRLZ24NPBF INFINEON

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 Logic-Level Gate Drive, Advanced Process Technology
IRFZ24NPBF INFINEON

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 HEXFET Power MOSFET

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
HUF76429D3_05 FAIRCHILD

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 		20A, 60V, 0.027 Ohm, N-Channel, Logic Level U
HUF76429D3S FAIRCHILD

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HUF76429D3S INTERSIL

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 		20A, 60V, 0.027 Ohm, N-Channel, Logic Level UltraFET Power MOSFET
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 		TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 20A I(D) | TO-252AA
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