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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> HUF76423D3ST
HUF76423D3ST PDF预览

HUF76423D3ST

更新时间： 2024-11-26 23:56:55
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 晶体晶体管功率场效应晶体管开关
页数 文件大小 规格书
10页 200K
描述
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 20A I(D) | TO-252AA

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HUF76423D3ST 技术参数

是否Rohs认证：不符合生命周期：Obsolete
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99风险等级：5.16
Is Samacsys：N外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：60 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：20 A最大漏极电流 (ID)：20 A
最大漏源导通电阻：0.04 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-252AAJESD-30 代码：R-PSSO-G2
JESD-609代码：e0元件数量：1
端子数量：2工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：175 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：85 W认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

HUF76423D3ST 数据手册

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HUF76423D3, HUF76423D3S  
Data Sheet  
December 2001  
20A, 60V, 0.037 Ohm, N-Channel, Logic  
Level UltraFET® Power MOSFETFairchild  
Packaging  
Features  
JEDEC TO-251AA  
JEDEC TO-252AA  
• Ultra Low On-Resistance  
- r  
- r  
= 0.032Ω, VGS = 10V  
= 0.037Ω, VGS = 5V  
DS(ON)  
DS(ON)  
DRAIN  
(FLANGE)  
DRAIN  
(FLANGE)  
SOURCE  
DRAIN  
GATE  
• Simulation Models  
- Temperature Compensated PSPICE® and SABER™  
Electrical Models  
GATE  
SOURCE  
- Spice and SABER Thermal Impedance Models  
- www.fairchildsemi.com  
HUF76423D3S  
HUF76423D3  
• Peak Current vs Pulse Width Curve  
• UIS Rating Curve  
• Switching Time vs R  
Curves  
Symbol  
GS  
Ordering Information  
D
S
PART NUMBER  
HUF76423D3  
PACKAGE  
BRAND  
76423D  
76423D  
TO-251AA  
TO-252AA  
G
HUF76423D3S  
NOTE: When ordering, use the entire part number. Add the suffix T  
to obtain the variant in tape and reel, e.g., HUF76423D3ST.  
o
Absolute Maximum Ratings  
T = 25 C, Unless Otherwise Specified  
C
HUF76423D3,  
HUF76423D3S  
UNITS  
Drain to Source Voltage (Note 1). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . V  
60  
60  
V
V
V
DSS  
DGR  
Drain to Gate Voltage (R  
GS  
= 20kΩ) (Note 1) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . V  
Gate to Source Voltage . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . V  
±16  
GS  
Drain Current  
o
Continuous (T = 25 C, V  
= 5V) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . I  
= 10V) (Figure 2) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . I  
20  
20  
20  
A
A
A
A
C
GS  
GS  
D
D
o
Continuous (T = 25 C, V  
C
o
Continuous (T = 100 C, V  
= 5V) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . I  
= 4.5V) (Figure 2) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . I  
C
GS  
GS  
D
o
Continuous (T = 100 C, V  
20  
C
D
Pulsed Drain Current . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . I  
Figure 4  
DM  
Pulsed Avalanche Rating . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . UIS  
Power Dissipation . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . P  
Derate Above 25 C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .  
Figures 6, 17, 18  
85  
0.567  
W
W/ C  
D
o
o
o
Operating and StorageTemperature . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . T , T  
J
-55 to 175  
C
STG  
Maximum Temperature for Soldering  
Leads at 0.063in (1.6mm) from Case for 10s. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . T  
Package Body for 10s, See Techbrief TB334. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . T  
o
300  
260  
C
C
L
o
pkg  
NOTES:  
1. T = 25 C to 150 C.  
o
o
J
CAUTION: Stresses above those listed in “Absolute Maximum Ratings” may cause permanent damage to the device. This is a stress only rating and operation of the  
device at these or any other conditions above those indicated in the operational sections of this specification is not implied.  
Product reliability information can be found at http://www.fairchildsemi.com/products/discrete/reliability/index.html  
For severe environments, see our Automotive HUFA series.  
All Fairchild semiconductor products are manufactured, assembled and tested under ISO9000 and QS9000 quality systems certification.  
©2001 Fairchild Semiconductor Corporation  
HUF76423D3, HUF76423D3S Rev. B  
1234567...10

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与HUF76423D3ST相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
HUF76423D3ST_R4921 FAIRCHILD

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 		Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
HUF76423P3 FAIRCHILD

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 		33A, 60V, 0.035 Ohm, N-Channel, Logic Level UltraFET Power MOSFET
HUF76423P3 INTERSIL

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 		33A, 60V, 0.035 Ohm, N-Channel, Logic Level UltraFET Power MOSFET
HUF76423P3 ONSEMI

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 		N 沟道，逻辑电平，UltraFET 功率 MOSFET，60V，33A，35mΩ
HUF76423P3_NL FAIRCHILD

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 		33A, 60V, 0.035 Ohm, N-Channel, Logic Level UltraFET Power MOSFET
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