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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> NTD3808NT4G
NTD3808NT4G PDF预览

NTD3808NT4G

更新时间： 2024-11-18 06:00:43
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
页数 文件大小 规格书
7页 94K
描述
Power MOSFET 16 V, 76 A, Single N-Channel, DPAK/IPAK

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NTD3808NT4G 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：End Of Life
包装说明：LEAD FREE, CASE 369AA-01, DPAK-3针数：3
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.67Is Samacsys：N
雪崩能效等级（Eas）：29.4 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：16 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：76 A最大漏极电流 (ID)：12 A
最大漏源导通电阻：0.0085 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PSSO-G2JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：2工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：175 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：52 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：152 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：YES端子面层：Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

NTD3808NT4G 数据手册

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NTD3808N  
Power MOSFET  
16 V, 76 A, Single N-Channel, DPAK/IPAK  
Features  
•ꢀTrench Technology  
•ꢀLow R  
to Minimize Conduction Losses  
http://onsemi.com  
DS(on)  
•ꢀLow Capacitance to Minimize Driver Losses  
•ꢀOptimized Gate Charge to Minimize Switching Losses  
•ꢀThese are Pb-Free Devices  
V
R
MAX  
I
D
MAX  
(BR)DSS  
DS(ON)  
5.8 mW @ 10 V  
8.5 mW @ 4.5 V  
16 V  
76 A  
Applications  
•ꢀDC-DC Converters  
•ꢀLow Side Switching  
D
MAXIMUM RATINGS (T = 25°C unless otherwise stated)  
J
Parameter  
Drain-to-Source Voltage  
Symbol  
Value  
16  
Unit  
G
V
DSS  
V
V
A
Gate-to-Source Voltage  
Continuous Drain  
V
GS  
16  
S
I
D
T = 25°C  
17  
A
N-CHANNEL MOSFET  
Current R  
(Note 1)  
q
JA  
T = 85°C  
A
13  
4
4
Power Dissipation  
(Note 1)  
T = 25°C  
P
2.6  
W
A
A
D
D
D
4
R
q
JA  
Continuous Drain  
Current R  
(Note 2)  
I
D
T = 25°C  
A
12  
9.1  
1.3  
q
JA  
2
1
1
T = 85°C  
A
Steady  
State  
1
2
3
3
2
Power Dissipation  
(Note 2)  
T = 25°C  
A
P
I
W
A
3
R
CASE 369AC  
3 IPAK  
(Straight Lead)  
CASE 369AA  
DPAK  
CASE 369D  
IPAK  
q
JA  
Continuous Drain  
Current R  
(Note 1)  
T
C
T
C
T
C
= 25°C  
= 85°C  
= 25°C  
76  
59  
52  
D
(Bent Lead)  
STYLE 2  
(Straight Lead  
DPAK)  
q
JC  
Power Dissipation  
(Note 1)  
P
W
R
q
JC  
MARKING DIAGRAMS  
& PIN ASSIGNMENTS  
Pulsed Drain Current  
t =10ms  
p
T = 25°C  
A
I
DM  
152  
35  
A
A
Current Limited by Package  
T = 25°C  
A
I
DmaxPkg  
4
Drain  
Operating Junction and Storage  
Temperature  
T ,  
J
-55 to  
+175  
°C  
4
Drain  
4
Drain  
T
STG  
Source Current (Body Diode)  
Drain to Source dV/dt  
I
51  
6
A
S
dV/dt  
EAS  
V/ns  
mJ  
Single Pulse Drain-to-Source Avalanche  
Energy (T = 25°C, V = 50 V, V = 10 V,  
29.4  
J
DD  
I = 14 A , L = 0.3 mH, R = 25 W)  
GS  
L
pk  
G
2
Drain  
1
2
3
Gate Drain Source  
Lead Temperature for Soldering Purposes  
(1/8” from case for 10 s)  
T
L
260  
°C  
1
3
Gate Source  
1
2
3
Gate Drain Source  
Stresses exceeding Maximum Ratings may damage the device. Maximum  
Ratings are stress ratings only. Functional operation above the Recommended  
Operating Conditions is not implied. Extended exposure to stresses above the  
Recommended Operating Conditions may affect device reliability.  
Y
WW  
= Year  
= Work Week  
3808N = Device Code  
= Pb-Free Package  
G
ORDERING INFORMATION  
See detailed ordering and shipping information in the package  
dimensions section on page 3 of this data sheet.  
©ꢀ Semiconductor Components Industries, LLC, 2007  
December, 2007 - Rev. 0  
1
Publication Order Number:  
NTD3808N/D  
1234567

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