5秒后页面跳转
| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | CASE 369D-01, DPAK-3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | not_compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.15 | Is Samacsys： | N |
| 其他特性： | AVALANCHE RATED, LOGIC LEVEL COMPATIBLE | 雪崩能效等级（Eas）： | 722 mJ |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 30 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 8.4 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 8.4 A | 最大漏源导通电阻： | 0.01 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码： | R-PSIP-T3 |
| JESD-609代码： | e0 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | IN-LINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 1.04 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 28 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| NTD65N03R-1 | ONSEMI |
类似代替  |
Power MOSFET 25 V, 65 A, Single N-Channel, DPAK |
|
| NTD4808N-1G | ONSEMI |
功能相似 |
Power MOSFET 30 V, 63 A, Single N--Channel, DPAK/IPAK |
|
| NTD65N03R-1G | ONSEMI |
功能相似 |
Power MOSFET 25 V, 65 A, Single N-Channel, DPAK |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| NTD4302-1G | ONSEMI |
获取价格 |
Power MOSFET 68 A, 30 V, NâChannel DPAK |
|
| NTD4302G | ONSEMI |
获取价格 |
Power MOSFET 68 A, 30 V, NâChannel DPAK |
|
| NTD4302T4 | ONSEMI |
获取价格 |
Power MOSFET 68 Amps, 30 Volts(N−Channel DPAK) |
|
| NTD4302T4G | ONSEMI |
获取价格 |
Power MOSFET 68 A, 30 V, NâChannel DPAK |
|
| NTD4404N | ROCHESTER |
获取价格 |
32A, 24V, 0.00517ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, CASE 369C-01, DPAK-3 |
|
| NTD4404N | ONSEMI |
获取价格 |
TRANSISTOR 32 A, 24 V, 0.00517 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, CASE 369C-01, DPAK-3, FE |
|
| NTD4404N1 | ROCHESTER |
获取价格 |
32A, 24V, 0.00517ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, CASE 369D-01, DPAK-3 |
|
| NTD4404N1 | ONSEMI |
获取价格 |
TRANSISTOR 32 A, 24 V, 0.00517 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, CASE 369D-01, DPAK-3, FE |
|
| NTD4404NG | ONSEMI |
获取价格 |
TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,24V V(BR)DSS,32A I(D),TO-252AA |
|
| NTD4404NT4 | ONSEMI |
获取价格 |
32A, 24V, 0.00517ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, CASE 369C-01, DPAK-3 |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
替代型号
如果您发现信息不准确，
