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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> NTD4805N-35G
NTD4805N-35G PDF预览

NTD4805N-35G

更新时间： 2024-01-23 23:20:47
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
页数 文件大小 规格书
8页 81K
描述
Power MOSFET 30 V, 88 A, Single N−Channel, DPAK/IPAK

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NTD4805N-35G 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
包装说明：ROHS COMPLIANT, CASE 369AC-01, 3 IPAK-3针数：3
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.8Is Samacsys：N
雪崩能效等级（Eas）：288 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：30 V
最大漏极电流 (ID)：12.6 A最大漏源导通电阻：0.0074 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PSIP-T3
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：175 A认证状态：Not Qualified
表面贴装：NO端子面层：Tin (Sn)
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

NTD4805N-35G 数据手册

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NTD4805N  
Power MOSFET  
30 V, 88 A, Single N−Channel, DPAK/IPAK  
Features  
• Low R  
to Minimize Conduction Losses  
DS(on)  
• Low Capacitance to Minimize Driver Losses  
• Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses  
• These are Pb−Free Devices  
http://onsemi.com  
V
R
DS(on)  
MAX  
I MAX  
D
(BR)DSS  
Applications  
5.0 mW @ 10 V  
7.4 mW @ 4.5 V  
• CPU Power Delivery  
• DC−DC Converters  
• Low Side Switching  
30 V  
88 A  
D
MAXIMUM RATINGS (T = 25°C unless otherwise noted)  
J
Parameter  
Drain−to−Source Voltage  
Gate−to−Source Voltage  
Symbol  
Value  
30  
Unit  
V
N−Channel  
V
DSS  
G
V
"20  
16  
V
GS  
Continuous Drain  
I
A
T = 25°C  
D
A
S
4
Current (R ) (Note 1)  
q
JA  
T = 85°C  
A
12.6  
2.24  
4
Power Dissipation  
(R ) (Note 1)  
T = 25°C  
A
P
W
A
D
q
JA  
4
Continuous Drain  
I
T = 25°C  
A
12.6  
9.8  
D
Current (R ) (Note 2)  
q
JA  
T = 85°C  
A
2
1
Steady  
State  
1
2
3
1
2
3
CASE 369D  
DPAK  
(Straight Lead)  
STYLE 2  
3
Power Dissipation  
(R ) (Note 2)  
T = 25°C  
A
P
I
1.35  
W
A
D
q
JA  
CASE 369AC  
3 IPAK  
(Straight Lead)  
CASE 369C  
DPAK  
(Bend Lead)  
STYLE 2  
Continuous Drain  
T
T
T
= 25°C  
= 85°C  
= 25°C  
88  
68  
66  
D
C
C
C
Current (R  
(Note 1)  
)
q
JC  
Power Dissipation  
(R ) (Note 1)  
P
W
D
q
JC  
MARKING DIAGRAMS  
& PIN ASSIGNMENTS  
Pulsed Drain Current  
t =10ms T = 25°C  
p
I
DM  
175  
45  
A
A
A
4
Current Limited by Package  
T = 25°C  
A
I
DmaxPkg  
Drain  
4
4
Operating Junction and Storage Temperature  
T , T  
−55 to  
175  
°C  
J
stg  
Drain  
Drain  
Source Current (Body Diode)  
Drain to Source dV/dt  
I
55  
6.0  
288  
A
S
dV/dt  
V/ns  
mJ  
Single Pulse Drain−to−Source Avalanche  
Energy (V = 30 V, V = 10 V,  
E
AS  
2
DD  
GS  
1
2
3
L = 1.0 mH, I  
= 24 A, R = 25 W)  
Drain  
L(pk)  
G
1
3
Gate Drain Source  
Gate Source  
1
2
3
Lead Temperature for Soldering Purposes  
(1/8″ from case for 10 s)  
T
260  
°C  
L
Gate Drain Source  
Stresses exceeding Maximum Ratings may damage the device. Maximum  
Ratings are stress ratings only. Functional operation above the Recommended  
Operating Conditions is not implied. Extended exposure to stresses above the  
Recommended Operating Conditions may affect device reliability.  
Y
WW  
= Year  
= Work Week  
4805N = Device Code  
= Pb−Free Package  
G
ORDERING INFORMATION  
See detailed ordering and shipping information in the package  
dimensions section on page 6 of this data sheet.  
©
Semiconductor Components Industries, LLC, 2006  
1
Publication Order Number:  
April, 2006 − Rev. 0  
NTD4805N/D  
12345678

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NTD4805N-35G 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
NTD4805N-1G ONSEMI

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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 		Power MOSFET 30 V, 88 A, Single N−Channel, DPAK/IPAK
NTD4805NT4G UMW

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 		种类:N-Channel;漏源电压（Vdss）:30V;持续漏极电流（Id）（在25°C时
NTD4806N ONSEMI

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 		Power MOSFET 30 V, 76 A, Single N--Channel, DPAK/IPAK
NTD4806N1G ONSEMI

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 		11A, 30V, 0.0094ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, ROHS COMPLIANT, CASE 369D-01, DPAK-3
NTD4806N-1G ONSEMI

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 		Power MOSFET 30 V, 76 A, Single N--Channel, DPAK/IPAK
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 		Power MOSFET 30 V, 63 A, Single N--Channel, DPAK/IPAK
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