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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Active | 包装说明： | CASE 369C-01, DPAK-3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.32 | 雪崩能效等级（Eas）： | 90 mJ |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 24 V | 最大漏极电流 (ID)： | 32 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.00517 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 | JESD-609代码： | e0 |
| 湿度敏感等级： | NOT SPECIFIED | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 96 A |
| 认证状态： | COMMERCIAL | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | TIN LEAD | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| NTD4404N1 | ROCHESTER |
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32A, 24V, 0.00517ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, CASE 369D-01, DPAK-3 |
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| NTD4404N1 | ONSEMI |
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TRANSISTOR 32 A, 24 V, 0.00517 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, CASE 369D-01, DPAK-3, FE |
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| NTD4404NG | ONSEMI |
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TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,24V V(BR)DSS,32A I(D),TO-252AA |
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| NTD4404NT4 | ONSEMI |
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32A, 24V, 0.00517ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, CASE 369C-01, DPAK-3 |
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| NTD45 | EDI |
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HIGH VOLTAGE-HIGH CURRENT SILICON RECTIFIERS |
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| NTD4804N | ONSEMI |
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Power MOSFET 30 V, 117 A, Single N--Channel, DPAK/IPAK |
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| NTD4804N-1G | ONSEMI |
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Power MOSFET 30 V, 117 A, Single N--Channel, DPAK/IPAK |
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| NTD4804N-35G | ONSEMI |
获取价格 |
Power MOSFET 30 V, 117 A, Single N--Channel, DPAK/IPAK |
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| NTD4804NT4G | ONSEMI |
获取价格 |
Power MOSFET 30 V, 117 A, Single N--Channel, DPAK/IPAK |
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| NTD4804NT4G | UMW |
获取价格 |
种类:N-Channel;漏源电压（Vdss）:30V;持续漏极电流（Id）（在25°C时 |
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