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NTD4806N35G PDF预览

NTD4806N35G

更新时间： 2024-02-12 05:24:39
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 开关脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
8页 118K
描述
11A, 30V, 0.0094ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, ROHS COMPLIANT, CASE 369AC-01, 3 IPAK-3

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NTD4806N35G 技术参数

是否无铅：不含铅是否Rohs认证：符合
生命周期：Obsolete包装说明：IN-LINE, R-PSIP-T3
针数：3Reach Compliance Code：compliant
风险等级：5.82Is Samacsys：N
雪崩能效等级（Eas）：220 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：30 V
最大漏极电流 (ID)：11 A最大漏源导通电阻：0.0094 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PSIP-T3
JESD-609代码：e3元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：175 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：150 A认证状态：Not Qualified
表面贴装：NO端子面层：MATTE TIN
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

NTD4806N35G 数据手册

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NTD4806N, NVD4806N  
Power MOSFET  
30 V, 76 A, Single N−Channel, DPAK/IPAK  
Features  
• Low R  
to Minimize Conduction Losses  
• Low Capacitance to Minimize Driver Losses  
DS(on)  
http://onsemi.com  
• Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses  
• AEC−Q101 Qualified and PPAP Capable − NVD4806N  
• These Devices are Pb−Free and are RoHS Compliant  
V
R
MAX  
I MAX  
D
(BR)DSS  
DS(on)  
6.0 mW @ 10 V  
9.4 mW @ 4.5 V  
30 V  
76 A  
Applications  
• CPU Power Delivery  
• DC−DC Converters  
• Low Side Switching  
D
MAXIMUM RATINGS (T = 25°C unless otherwise noted)  
J
N−Channel  
G
Parameter  
Drain−to−Source Voltage  
Gate−to−Source Voltage  
Symbol  
Value  
30  
Unit  
V
V
DSS  
S
V
GS  
"20  
15.6  
12  
V
Continuous Drain  
I
D
A
T = 25°C  
4
A
Current (R ) (Note 1)  
q
JA  
T = 85°C  
A
4
Power Dissipation  
(R ) (Note 1)  
T = 25°C  
P
2.65  
W
A
A
D
q
JA  
2
1
1
2
3
3
Continuous Drain  
I
D
T = 25°C  
A
11.3  
8.8  
Current (R ) (Note 2)  
IPAK  
q
JA  
DPAK  
T = 85°C  
A
Steady  
State  
CASE 369AD  
(Straight Lead)  
STYLE 2  
CASE 369AA  
(Bent Lead)  
STYLE 2  
Power Dissipation  
(R ) (Note 2)  
T = 25°C  
A
P
I
1.4  
W
A
D
q
JA  
Continuous Drain  
T
C
T
C
T
C
= 25°C  
= 85°C  
= 25°C  
79  
61  
68  
D
MARKING DIAGRAMS  
& PIN ASSIGNMENTS  
Current (R  
(Note 1)  
)
q
JC  
Power Dissipation  
(R ) (Note 1)  
P
D
W
4
4
Drain  
q
JC  
Drain  
Pulsed Drain Current  
t =10ms T = 25°C  
I
DM  
150  
45  
A
A
p
A
Current Limited by Package  
T = 25°C  
A
I
DmaxPkg  
Operating Junction and Storage Temperature  
T , T  
−55 to  
175  
°C  
J
stg  
2
Source Current (Body Diode)  
Drain to Source dV/dt  
I
50  
6.0  
220  
A
Drain  
S
1
3
1
2
3
Gate Source  
Gate Drain Source  
dV/dt  
V/ns  
mJ  
Single Pulse Drain−to−Source Avalanche  
E
AS  
A
Y
= Assembly Location*  
= Year  
= Work Week  
Energy (V = 24 V, V = 10 V,  
DD  
GS  
L = 1.0 mH, I  
= 21 A, R = 25 W)  
L(pk)  
G
WW  
Lead Temperature for Soldering Purposes  
(1/8″ from case for 10 s)  
T
L
260  
°C  
4806N = Device Code  
= Pb−Free Package  
G
Stresses exceeding those listed in the Maximum Ratings table may damage the  
device. If any of these limits are exceeded, device functionality should not be  
assumed, damage may occur and reliability may be affected.  
* The Assembly Location code (A) is front side  
optional. In cases where the Assembly Location is  
stamped in the package, the front side assembly  
code may be blank.  
ORDERING INFORMATION  
See detailed ordering and shipping information in the package  
dimensions section on page 6 of this data sheet.  
© Semiconductor Components Industries, LLC, 2014  
1
Publication Order Number:  
June, 2014 − Rev. 10  
NTD4806N/D  
12345678

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与NTD4806N35G相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
NTD4806N-35G ONSEMI

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 		Power MOSFET 30 V, 76 A, Single N--Channel, DPAK/IPAK
NTD4806NT4G ONSEMI

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 		Power MOSFET 30 V, 76 A, Single N--Channel, DPAK/IPAK
NTD4808N ONSEMI

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 		Power MOSFET 30 V, 63 A, Single N--Channel, DPAK/IPAK
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 		Power MOSFET 30 V, 63 A, Single N--Channel, DPAK/IPAK
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 		Power MOSFET 30 V, 63 A, Single N--Channel, DPAK/IPAK
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 		Power MOSFET 30 V, 58 A, Single N--Channel, DPAK/IPAK
NTD4809N-1G ONSEMI

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 		Power MOSFET 30 V, 58 A, Single N--Channel, DPAK/IPAK
NTD4809N-35G ONSEMI

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 		Power MOSFET 30 V, 58 A, Single N--Channel, DPAK/IPAK
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 		25 V, 58 A, Single N- Channel, DPAK/IPAK

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